[发明专利]方便焊带焊接的太阳能电池电极无效
申请号: | 201310508211.1 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN103531646A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 焦海军 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方便 焊接 太阳能电池 电极 | ||
技术领域
本发明涉及一种方便焊带焊接的太阳能电池电极,属于太阳能电池技术领域。
背景技术
目前,在太阳能电池制程中,在形成电极时,通常是利用网板印刷的方式将电极材料印刷至基板上,如图1、2所示,此外,在对太阳能电池模组进行封装制程时,通常会通过焊带来连接多个太阳能电池的电极,将这些太阳能电池串联或并联连接,形成满足电压、电流要求的太阳能模组,其所采用的电极材料一般是银或者银铝的合金,而焊带材料基材是铜,表面涂覆铅合金或者其他锡合金;之后通过传统的焊接工艺,例如热风焊接 、红外焊接、接触式焊接或者激光焊接将电池的银电极和焊带表面的锡合金形成合金而连接在一起,但是,如果为得到更多的功率,将焊带表面的材料更换为银或者银合金时,和电池表面的银由于共熔点太高而无法焊接,如果采用导电胶带或导电胶连接将大大增加焊接的难度而且成本也会大幅度的提高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种方便焊带焊接的太阳能电池电极,它能够提高电极与焊带的焊接稳定性,扩大焊带使用材料的范围,从而方便焊接,降低成本。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种方便焊带焊接的太阳能电池电极,包括至少一层导电金属过渡层,最外层的导电金属过渡层的外侧面上设置有焊接层,并且焊接层由锡或锡合金材料制成。
进一步,所述的导电金属过渡层由银或银合金材料制成。
进一步,所述的焊接层的厚度为3微米~50微米。
进一步,所述的焊接层的厚度为15微米。
更进一步,所述的焊接层由锡铅合金材料制成。
采用了上述技术方案后,由于本电极的表面镀有由锡或锡合金制成的焊接层,这种材料制成的焊接层能够与很多材料形成合金而连接在一起,这就扩大了焊带使用材料的范围,焊带的镀层材料就有更多的选择,可以是锡铅合金、锡合金、银或者是银合金等,同时也提高电极与焊带的焊接稳定性,避免了原来焊带镀层材料使用比较局限的现象,方便了焊接,降低了成本。
附图说明
图1为现有技术的太阳能电池的正面结构示意图;
图2为现有技术的太阳能电池的背面结构示意图;
图3为现有技术的太阳能电池的结构示意图;
图4为使用本发明的方便焊带焊接的太阳能电池电极的太阳能电池的结构示意图;
其中,1为太阳能硅片;2为正面或背面的导电金属过渡层;4为铝背场;5为焊接层。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,
如图4所示,一种方便焊带焊接的太阳能电池电极,包括至少一层导电金属过渡层2,最外层的导电金属过渡层2的外侧面上设置有焊接层5,并且焊接层5由锡或锡合金材料制成。
导电金属过渡层2由银或银合金材料制成,可以是一层,也可以是几层,但均不限于此。
焊接层5的厚度为3微米~50微米,可以选择15微米。
焊接层5可由锡铅合金材料制成,但不限于此。
本发明的工作原理如下:
由于本电极的表面镀有由锡或锡合金制成的焊接层5,这种材料制成的焊接层5能够与很多材料形成合金而连接在一起,这就扩大了焊带使用材料的范围,焊带的镀层材料就有更多的选择,可以是锡铅合金、锡合金、银或者是银合金等,同时也提高了电极与焊带的焊接稳定性,避免了原来焊带镀层材料使用比较局限的现象,方便了焊接,降低了成本。
使用本发明电极的一种太阳能电池的制作过程如下:
太阳能硅片1按照正常的工艺流程制绒、清洗、扩散、后清洗、印刷烧结,制作成电池片,采用高速电镀的工艺在电池片正反面的主栅线的银(也就是导电金属过渡层2)上电镀一层厚度在15微米左右的锡铅合金,构成焊接层5,为提高组件的功率,焊带采用表面镀银的微聚光焊带,使用正常的热风焊接,焊带表面的银和电池片的锡铅合金在270℃的高温下,形成锡银铅合金的欧姆连接,将太阳能电池片串联起来,之后经过叠层、层压、装铝框、装接线盒等工序完成整个组件的制作,这样把在常规电池无法焊接的镀银焊带连接起来,通过焊带表而的结构反射增加了光线的利用率,从而提尚了整个组件的功率。
以上所述的具体实施例,对本发明的解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的