[发明专利]一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法有效
| 申请号： | 201310510519.X | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103576221A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王莉娟;喻颖;査国伟;徐建星;倪海桥;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00;G03F7/20;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 光栅 结构 均匀 电子束 曝光 方法 | ||
1.一种提高光栅均匀度的方法，该方法包括：
步骤1：在晶片上涂覆电子束胶；
步骤2：将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；
步骤3：利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；
步骤4：对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中所述梯形补偿图形排列在光栅结构的四周，且互不相接。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光栅结构为包括多个纳米级光栅条。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶片为GaAs基外延片。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电子束胶是ZEP520A，甩胶条件为5000rpm，甩胶时间为60秒。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤2中所述前烘的条件为烘箱180℃，时间为1小时。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤3中所述版图设计工具是GDSII或L-Edit。
8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述纳米级光栅条宽度为100nm-400nm，周期为0.4-0.7微米，光栅面积为5-30微米。
9.如权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述梯形补偿图形在距离光栅0.5-1微米处，宽度为0.4-0.6微米。
10.如权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，步骤4中对晶片进行电子束曝光所使用的电子束加速电压为10KV，束闸大小为30微米，曝光步长为16nm。
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