[发明专利]使用回归分析的半导体存储系统及其读取方法

权利要求书

1.一种用于非易失性存储设备的读取方法，所述方法包括：

使用多个不同的读取电压对所选择的存储单元执行读取操作；

基于使用所述不同的读取电压读取的数据，对多个阈值电压带中的每个中的存储单元的数目进行计数；

基于所述多个阈值电压带中的每个中的存储单元的数目来决定与所选择的存储单元的阈值电压相对应的概率密度函数的坐标值；

基于所述坐标值来获得所述概率密度函数的系数；以及

将与所述概率密度函数的最小值对应的阈值电压决定为所选择的存储单元的读取电压。

2.根据权利要求1所述的读取方法，其中，将与所述概率密度函数的最小值对应的阈值电压决定为所选择的存储单元的读取电压包括：获得所述概率密度函数的斜率是“0”处的坐标点的阈值电压，并将其决定为所选择的存储单元的读取电压。

3.根据权利要求1所述的读取方法，其中，所述多个阈值电压带中的每个具有相同的电压宽度。

4.根据权利要求1所述的读取方法，其中，对存储单元的数目进行计数包括：

在使用所述多个不同的读取电压中的第一读取电压读取的第一数据的第一数据比特和使用所述多个不同的读取电压中的第二读取电压读取的第二数据的第二数据比特之间执行XOR运算，所述第一数据比特和第二数据比特属于存储单元的相同列；以及

对包括在所述XOR运算的结果中的逻辑“1”的数目进行计数。

5.根据权利要求4所述的读取方法，其中，所述第一读取电压和第二读取电压的平均值是所述坐标值中的第一坐标值的第一分量，并且在所述第一读取电压和第二读取电压之间的阈值电压带中的存储单元的数目是所述第一坐标值的第二分量。

6.根据权利要求1所述的读取方法，其中，通过三次函数来估计与所选择的存储单元的擦除状态和编程状态之间的分布相对应的所述概率密度函数。

7.根据权利要求6所述的读取方法，其中，获得所述概率密度函数的系数包括：

通过代入至少四个坐标值来获得所述概率密度函数的系数。

8.根据权利要求1所述的读取方法，其中，通过二次函数来估计与所选择的存储单元的编程状态之间的分布相对应的所述概率密度函数。

9.根据权利要求8所述的读取方法，其中，获得所述概率密度函数的系数包括：

通过代入至少三个坐标值来获得所述概率密度函数的系数。

10.根据权利要求2所述的读取方法，其中，获得所述概率密度函数的斜率是“0”处的坐标点的阈值电压包括：

对所述概率密度函数求导；以及

获得求导后的概率密度函数的值是“0”的方程的根。

11.根据权利要求10所述的读取方法，其中，将与所述概率密度函数的最小点相对应的实根决定为读取电压。

12.一种存储系统，包括：

非易失性存储设备，被配置为响应于包括读取电平信息的读取命令而从所选择的存储单元中读取数据；以及

存储器控制器，被配置为基于所读取的数据来获得与所选择的存储单元的阈值电压相关联的概率密度函数，所述存储器控制器被进一步配置为基于对从所述概率密度函数导出的函数的分析来确定所选择的存储单元的读取电压，

其中，所述存储器控制器进一步被配置为向所述非易失性存储设备提供读取命令，以及基于与所述读取命令中的每个相对应的读取数据来计算所述概率密度函数的坐标点。

13.根据权利要求12所述的存储系统，其中，所述读取电平信息包括关于读取电平的信息。

14.根据权利要求12所述的存储系统，其中，所述读取电平信息包括关于至少两个不同的读取电平的信息。