[发明专利]基于萘环的新型共聚物、制备及制成的三进制电存储器件

权利要求书

1.基于萘环的结构为PMNB和PMNN的共聚物：

其中，7.5≤x＜10，0＜y≤2.5。

2.根据权利要求1所述的共聚物，其特征在于：7.5≤x≤9，1≤y≤2.5。

3.一种制备权利要求1所述共聚物的方法，包括下述步骤：

（1）在100～140℃下分别用2-氯乙醇对萘酚，2-氨基乙醇对4-溴-1,8-萘酐和4-溴-N-正丁基-1,8-萘酰亚胺进行烷基化，得到烷基化萘环化合物2-(1-萘醚基)-乙醇、4-溴-N-(2-羟基-乙基)-1,8-萘酰亚胺和NNA；

（2）分别将步骤（1）所得的烷基化后的萘环化合物与2-甲基丙烯酸酰氯进行反应，得到单体1、单体2和单体3；

（3）分别将单体1与单体2，单体1与单体3在75～80℃下进行聚合，聚合摩尔比为单体1:单体2或单体3:AIBN=A:B:1，75≤A＜100，0＜B≤25。

4.一种采用权利要求1所述的共聚物制得的三进制数据存储器件，包括底电极和上电极，其特征在于：还包括设置在底电极和上电极之间的有机薄膜层，底电极、有机薄膜层和上电极构成三明治结构，所述的有机薄膜层的材料为结构为PMNB或PMNN的共聚物。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于：所述的底电极的厚度为10～300nm，有机薄膜层的厚度为25～150nm，上电极的厚度为20～300nm。

6.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于：所述底电极的材料为ITO导电玻璃、可蒸镀金属或导电聚合物。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于：所述可蒸镀金属为金、铂、银、铝或铜；所述导电聚合物为聚噻吩或聚苯胺。

8.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于：所述上电极的材料为可蒸镀金属或金属氧化物。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其特征在于：所述可蒸镀金属为金、铂、铝或铜；所述金属氧化物为氧化铟锡。

10.一种制备权利要求4所述存储器件的方法，包括下述步骤：

在底电极上沉积结构为PMNB或PMNN的共聚物，形成一层有机薄膜；再在有机薄膜上真空沉积一层上电极，制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构的三进制数据存储器件。