[发明专利]OLED器件封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及封装技术，特别是涉及一种OLED器件封装结构。

背景技术

随着技术的发展，OLED封装技术从胶水封装发展到目前的激光封装。激光对OLED器件进行封装的时候，上下玻璃基板之间的玻璃封装材料受到激光的加热，玻璃封装料开始融化，在上下玻璃基板的贴合过程中（即上下玻璃基板受到压力），由于玻璃封装料为熔融状态，在受到压力的情况下会朝外侧溢流出，或者朝内侧（OLED芯片方向）流动，使得OLED器件遭受破坏，造成OLED的封装良品率降低。

发明内容

基于此，提供一种防止玻璃封装料溢出的OLED器件封装结构。

一种OLED器件封装结构，包括：上玻璃基板，下玻璃基板，连接上玻璃基板、下玻璃基板的玻璃封装料；在所述下玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽。

在其中一个实施例中，在所述玻璃封装料的两侧的所述下玻璃基板上开设凹槽。

在其中一个实施例中，在所述玻璃封装料所对应的所述下玻璃基板上开设凹槽。

在其中一个实施例中，还包括：预警层，所述预警层设置在所述玻璃封装的内侧，所述预警层为水致变色材料。

在其中一个实施例中，所述水致变色材料为无水硫酸铜或无水氯化钴。

在其中一个实施例中，所述凹槽为倒T型。

在其中一个实施例中，还包括，在所述上玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽。

在其中一个实施例中，在所述玻璃封装料的两侧的所述上玻璃基板上开设凹槽。

在其中一个实施例中，所述玻璃封装料的组分为：10-20%的B₂O₃、25-45%的ZnO、25-45%的P₂O₅、0-20的%Co₂O₃、0-20%的CuO。

在其中一个实施例中，所述玻璃封装料的组分为：16%的B₂O₃、35%的ZnO、29%的P₂O₅、20%的Co₂O₃。

在激光进行封装的时候，激光对玻璃封装料进行加热，玻璃封装料处于熔融状态，在受到上、下玻璃基板的贴合过程中的压力，熔融状态的玻璃封装料流入开设的凹槽中，防止玻璃封装料溢流出玻璃基板，避免OLED器件遭受破坏，提高OLED的封装良品率。

附图说明

图1为一实施例OLED器件封装结构示意图；

图2为另一实施例OLED器件封装结构示意图；

图3为一实施例OLED器件封装结构正视图；

图4为另一实施例OLED器件封装结构示意图；

图5为另一实施例OLED器件封装结构示意图；

图6为一实施例具有预警层的OLED器件封装结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参阅附图1～5，OLED器件封装结构，包括：上玻璃基板1，下玻璃基板2、玻璃封装料3以及在玻璃基板上开设的凹槽4。

上玻璃基板1，是OLED器件重要的组成构件之一，一般为透明的玻璃基板构成。

下玻璃基板2，是OLED器件重要的组成构件之一，OLED芯片、电极（图未示）等设置在下玻璃基板2上。

玻璃封装料3，连接上玻璃基板1和下玻璃基板2，密封上玻璃基板1和下玻璃基板2。具体地，玻璃封装料3一般是预烧结在上玻璃基板1上，然后上玻璃基板1与下玻璃基板2对位准确，最后通过激光对玻璃封装料3进行加热，实现上玻璃基板1与下玻璃基板2的封装。

在靠近玻璃封装料3处的下玻璃基板2上开设有凹槽4。可以理解，该凹槽4可以在玻璃封装料3的两侧皆开设，或者在玻璃封装料3的一侧开设，或者在玻璃封装料3所对应的下玻璃基板2上开设。

在激光进行封装的时候，激光对玻璃封装料3进行加热，玻璃封装料3处于熔融状态，在受到上、下玻璃基板的贴合过程中的压力，熔融状态的玻璃封装料3流入开设的凹槽4中，防止玻璃封装料3溢流出玻璃基板，避免OLED器件遭受破坏，提高OLED的封装良品率。

把凹槽4设置在玻璃封装料3所对应的下玻璃基板2上，由于重力的作用，玻璃封装料3恰能够流入到该凹槽4内，更为有效的防止玻璃封装料3溢流。