[发明专利]快闪存储器的抹除方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种快闪存储器的抹除方法，特别是有关于能快速判断空白区段的一种快闪存储器的抹除方法。

背景技术

快闪存储器在储存数据时，是通过编程(program)与抹除(erase)的机制将特定数据写入。一般而言，根据不同的指令行(command sheet)执行的写入与抹除演算法，个别会引发出不同的问题，例如过度抹除(over erase)。以一般抹除程序为例，主要包含预编程(pre-program)、抹除与后编程(post-program)步骤，藉以确保每个存储单元(memory cell)经过抹除程序后均在逻辑位准“1”的状态。当存储器反复执行抹除及编程程序时，随着写入次数的增加，抹除程序的执行时间也会逐渐增加，其中用以修复过度抹除之后编程步骤于整个抹除程序中所占的执行时间最久。当突发状况发生时，例如突然发生关机状况时，则有可能会中断后编程步骤，而导致快闪存储器的后编程步骤没有完整被执行。于是，需要花费较多时间来验证(verify)快闪存储器，以找寻出空白区段(blank sector)，以避免任何过度抹除的存储单元存在区段中，造成读取误判。

发明内容

本发明的主要目的为提供一种快闪存储器的涂抹方法，用于快速判断空白区段，以避免任何过度抹除的存储单元存在区段中。

本发明提供一种快闪存储器的抹除方法，包括：预编程快闪存储器的多个第一存储单元，其中第一存储单元设置于由多个列线与多个行线所组成的一存储器阵列。抹除已编程的第一存储单元。后编程已抹除的第一存储单元，以修复已过度抹除的第一存储单元。在后编程已抹除的第一存储单元之后，编程多个第二存储单元，其中第二存储单元设置在存储器阵列的一第一特定列线，其中第一特定列线安排在对应于一最后有效列地址的一最后列线之后。存储器阵列还包括设置在存储器阵列的一第二特定列线的多个第三存储单元，其中第二特定列线安排在最后列线之后并相邻于第一特定列线。

在本发明中，藉由读取设置在额外列线上的存储单元的状态，控制器可确认所选用的区段是否完整地执行了抹除程序并进一步判断所选用的区段是否为空白区段，而不需要对所选用的区段执行抹除验证以及过度抹除验证。因此，可加快判断是否为空白区段的时间，并降低耗电量。

附图说明

图1为显示根据本发明一实施例所述的快闪存储器；

图2为显示图1的存储器阵列的示意图；

图3为显示根据本发明一实施例所述的抹除方法，适用于图1的快闪存储器；

图4A为根据本发明一实施例所述的快闪存储器的预编程程序的流程图；

图4B为根据本发明另一实施例所述的快闪存储器的预编程程序的流程图；

图5A为根据本发明一实施例所述的快闪存储器的抹除程序的流程图；

图5B为根据本发明另一实施例所述的快闪存储器的抹除程序的流程图；

图6A为根据本发明一实施例所述的快闪存储器的后编程程序的流程图；

图6B为根据本发明另一实施例所述的快闪存储器的后编程程序的流程图；

图7为根据本发明一实施例所述的快闪存储器的标记程序的流程图；

图8A为根据本发明另一实施例所述的快闪存储器的标记程序的流程图；以及

图8B为根据本发明另一实施例所述的快闪存储器的标记程序的流程图。

符号说明：

100～快闪存储器；

110～控制器；

120～感测放大器；

130～地址解码电路；

200～存储器阵列；

210、220、230～存储单元；

C0-Cm、CF1、CF2～列线；

R0-Rn～行线；以及

S310-S340、S410-S484、S510-S584、S610-S684、S710-S750～步骤。

具体实施方式

为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：