[发明专利]一种带有大面积纳米图形的蓝宝石模板制作方法

权利要求书

1.一种带有纳米图形的蓝宝石模板制作方法，包括：

步骤1：选择蓝宝石衬底模板；

步骤2：在所述蓝宝石衬底模板上旋涂光刻胶，并在所述光刻胶上铺单层密排自组装纳米球；

步骤3：对单层密排自组装纳米球进行曝光，然后去除单层密排自组装纳米球并显影，最终获得带有孔洞图形光刻胶的蓝宝石模板；

步骤4：在带有孔洞图形光刻胶的蓝宝石模板上覆盖掩蔽层；然后剥离所述光刻胶上的掩蔽层并清洗掉光刻胶，获得带有掩蔽柱图形的蓝宝石模板；

步骤5：将所述掩蔽柱图形转移至所述蓝宝石衬底，最终获得带有纳米图形的蓝宝石模板。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤1中所选择的蓝宝石模板包括单面抛光或双面抛光的平面蓝宝石模板。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述带有纳米图形的蓝宝石模板用作氮化镓基发光二级管外延材料生长的衬底。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述带有纳米图形的蓝宝石模板用于倒装结构的发光二极管背面蓝宝石的粗化上。

5.如权利要求1所述的制作方法，步骤2中所旋涂的光刻胶，其厚度依据所述单层密排自组装纳米球的尺寸确定；所述单层自组密排装纳米球为聚苯乙烯(纳米球、二氧化硅纳米球或者其他材质的自组装纳米球。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤3中用于曝光的光源波长小于单层密排自组装纳米球的直径；所述孔洞图形穿透所述光刻胶到达所述蓝宝石模板。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤4中所述覆盖掩蔽层的覆盖方法包括电子束蒸发、等离子增强的气相淀积或磁控溅射方式。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述蓝宝石模板的刻蚀速率大于所述覆盖掩蔽层的刻蚀速率。

9.如权利要求1所述的制作方法，所述覆盖掩蔽层包括金属、氧化物或氮化物。

10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤5中通过感应耦合等离子体刻蚀方式将所述将掩蔽柱图形转移到蓝宝石模板。