[发明专利]一种有源有机发光二极管显示背板、显示设备有效

专利信息
申请号: 201310515730.0 申请日: 2013-10-28
公开(公告)号: CN103531106A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 王颖 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09F9/33 分类号: G09F9/33;G09G3/32;H01L27/32
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 李娟
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 有源 有机 发光二极管 显示 背板 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示技术,尤其涉及一种有源有机发光二极管AMOLED显示背板。

背景技术

目前的有源显示器的电源信号线,以VDD(电源电压)为例,多采用栅格型布线,即每个子像素单元都与VDD相连,如图1所示。该背板电源信号布线方法适用于有源液晶显示器和有源有机发光二极管显示器等采用有源驱动方式的平板显示器的背板电路设计。

图2是AMOLED背板的子像素版图的示意图,图2中的电路位于背板玻璃上,且横线以下的部分的电路上还包括封装玻璃,即横线以下的部分的电路位于背板玻璃和封装玻璃之间,从图2中可以看到每个子像素均通过金属层布线和电源信号线VDD相连接,同时每个子像素还与栅扫描线和显示数据信号线相连,形成栅格布线。

图3为目前AMOLED(Active matrix organic light emission diode,有源有机发光二极管)背板电路的版图排布的示意图。对于中小尺寸的AMOLED显示器,直流电源信号VDD多采用FPC连接器直接从外围的模组电路提供,在背板电路的有效显示区域内,采用如图3中所示的连接方式。图4为目前的AMOLED背板的像素电路版图设计的示意图,图5a和图5b是2T1C(2个三极管和1个电容)子像素结构的电路原理图和版图示意图,两个TFT为常用结构,包括栅极,源漏极,未在图中显示,DTFT为给像素电极供电的驱动TFT,从图5a和图5b中可以看出,AMOLED背板栅扫描线、显示数据线、和电源信号线构成一个正交的网状结构,水平方向和垂直方向一般采用不同金属层的布线。

随着显示分辨率的提高,对于紧凑型版图设计的需求成为能否实现最终设计的重要制约因素。而AMOLED显示背板的背板电路设计多采用具有补偿功能的子像素电路设计,所以每个子像素的电路结构往往比较复杂,需要使用更多的晶体管和电容,在列与列之间有较多的布线,版图设计受到面积的制约更为明显。

发明内容

本发明实施例提供一种AMOLED显示背板、显示设备及制作方法,以减少VDD线占用的面积,减小VDD线对电路板面积的影响。

本发明实施例提供的一种AMOLED显示背板,包括:

数量小于一行中子像素个数的VDD线以及至少一根与所述VDD线相交或异面相交的VDD连接线,其中:

所述VDD连接线用于连接各子像素电路输入端和VDD线。

由于VDD线的数量小于一行中子像素个数,减少了VDD线占用的面积,进而减小VDD线对电路板面积的影响。

进一步,为了尽量减少VDD线的数目,并减小VDD线数目减少对各子像素的影响,每个像素中包括的VDD线数目均小于3根。

更进一步,为便于对各个子像素进行显示控制,每个像素中包括1根VDD线。

较佳的,为了降低直流消耗,所述VDD线的宽度大于数据线的宽度。

进一步,所述VDD线的宽度是数据线的宽度的3倍。

进一步为便于设计和制作,同时进一步减小线路占用的面积,所述VDD连接线与VDD线位于不同层,所述VDD连接线通过过孔连接各子像素电路输入端和VDD线。

更进一步,为减少一次掩膜,所述VDD连接线设置在栅极层。

较佳的,为减小电容所占用的面积,所述VDD连接线与多晶硅层形成子像素电容。

较佳的,所述VDD连接线与所述VDD线垂直

本发明实施例还提供一种显示设备,包括本发明实施例提供的AMOLED显示背板。

本发明实施例还提供一种AMOLED显示背板制作方法,包括:

在栅极层进行栅极和VDD连接线的制作;

通过过孔将所述VDD连接线分别与VDD线、各子像素电路输入端连接。

本发明实施例提供一种AMOLED显示背板、显示设备及制作方法,在该AMOLED显示背板中,VDD线的数量小于一行中子像素个数,所以减少了VDD线占用的面积,减小VDD线对电路板面积的影响,同时通过VDD连接线连接各子像素电路输入端和VDD线,实现了各子像素电路输入端和VDD线的连接。

附图说明

图1为现有技术中有源显示背板VDD线布局示意图;

图2为现有技术中有源显示背板子像素版图示意图;

图3为现有技术中AMOLED显示背板电路的版图排布示意图;

图4为现有技术中AMOLED显示背板子像素版图示意图;

图5a为现有技术中2T1C子像素结构电路原理图;

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