[发明专利]一种集成二极管的集电极短路IGBT结构

权利要求书

1.一种集成二极管的集电极短路IGBT结构，包括元胞区(110)和环绕于所述元胞区(110)的终端区(111)，属于功率半导体器件技术领域。其中元胞区(110)包括绝缘层(10)、多晶硅栅极(30)、发射极金属(50)、P-body区(20)、发射极N⁺区(40)、N^-漂移区(80)、集电极P⁺区(90)和集电极区(100)；终端区(111)包括主结(21)、场限环(61)、沟道截止环(71)、N^-漂移区(81)、N⁺集电极短路区(91)、发射极金属(51)、集电极金属(101)和绝缘层(11)，其特征在于，终端部分的集电极区域全部是N⁺区(91)，其中主结(21)、N^-漂移区(81)以及集电极N⁺区(91)形成了反并联PiN二极管。

2.如权利要求1所述的集成二极管的集电极短路IGBT结构，其特征在于，终端区(111)的面积、主结(21)的宽度、长度、深度可以根据器件实际电流能力特性进行调整。

3.如权利要求2所述的集成二极管的集电极短路IGBT结构，其特征在于，由主结(21)、N^-漂移区(81)以及集电极N⁺区(91)构成的反并联二极管可以是PiN，也可以是MPS、JBS、沟槽型(Trench Diode)等结构。

4.如权利要求3所述的集成二极管的集电极短路IGBT结构，其特征在于，其任意一种形式的二极管结构可配合平面型元胞，也可配合沟槽型元胞，所提及的二极管结构可以与元胞区的结构任意组合。

5.如权利要求4所述的集成二极管的集电极短路IGBT结构，其特征在于，适用于本案例所述的N沟道器件结构，也适用于掺杂类型与本案例相反的P沟道的器件结构。

6.如权利要求1所述的集成二极管的集电极短路IGBT结构，其特征在于，本案例所提及的集成技术，适用于传统型NPT-IGBT结构，适用于场阻止型FS-IGBT结构以及专利上未提及的有关IGBT的一切结构及相关应用。