[发明专利]碳纳米管阵列的电镀修饰方法有效
| 申请号： | 201310516117.0 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103526248A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王蓬勃;杨湛;汝长海;陈涛;刘吉柱;潘明强;黄海波;孙立宁 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C25D5/54 | 分类号： | C25D5/54;C25D7/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 电镀 修饰 方法 | ||
1.一种碳纳米管阵列的电镀修饰方法，其特征在于，所述电镀修饰方法包括如下步骤，
提供碳纳米管阵列，将其置于真空腔内，密闭真空腔，对真空腔进行抽气以降低真空腔内的压力，再向真空腔内注入去离子水，使碳纳米管阵列完全浸入去离子水中；
继续抽气，当碳纳米管阵列的表面停止析出气泡时，停止抽气；
向真空腔内注入空气，使内外压力平衡，然后将碳纳米管阵列取出；
经过真空预处理的碳纳米管阵列置于电镀液中浸泡后进行电镀。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的电镀修饰方法，其特征在于，所述电镀修饰方法还包括：电镀停止后，将经过电镀的碳纳米管阵列从电镀液中取出，利用去离子水对其进行清洗。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的电镀修饰方法，其特征在于，所述对真空腔进行抽气以降低真空腔内的压力时，降低真空腔内的压力至45～55Pa。
4.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的电镀修饰方法，其特征在于，所述继续抽气持续的时间为0.5～2h。
5.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的电镀修饰方法，其特征在于，所述经过真空预处理的碳纳米管阵列置于电镀液中浸泡的时间为0.5h。
6.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的电镀修饰方法，其特征在于，所述电镀液的pH值范围为：3.5～4.5。
7.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的电镀修饰方法，其特征在于，所述电镀时碳纳米管阵列的电流密度为40～60mA/cm2，电镀温度控制在40～45℃，电镀时间为20s～5min。
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