[发明专利]一种基于忆阻器的联想记忆电路有效

专利信息
申请号: 201310516829.2 申请日: 2013-10-28
公开(公告)号: CN103580668A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 缪向水;李祎;许磊;钟应鹏 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 朱仁玲
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 忆阻器 联想 记忆 电路
【权利要求书】:

1.一种基于忆阻器的联想记忆电路,其特征在于,用于模拟生物的联想记忆行为;所述联想记忆电路包括第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、定值电阻R和运算比较器(105);

所述第一忆阻器M1的一端作为所述联想记忆电路的第一输入端(101),所述第一忆阻器M1的另一端连接至所述运算比较器(105)的第一输入端;

所述第二忆阻器M2的一端作为所述联想记忆电路的第二输入端(102),所述第二忆阻器M2的另一端连接至所述运算比较器(105)的第一输入端;

所述定值电阻R的一端连接至所述运算比较器(105)的第一输入端,所述定值电阻R的另一端接地;

所述运算比较器(105)的第二输入端用于连接参考电压,所述运算比较器(105)的输出端作为所述联想记忆电路的输出端(106);

所述联想记忆电路的第一输入端(101)和第二输入端(102)分别用于接收条件刺激信号和非条件刺激信号,所述联想记忆电路的输出端(106)用于输出反应信号。

2.一种基于忆阻器的联想记忆电路,其特征在于,用于模拟生物的联想记忆行为;所述联想记忆电路包括忆阻器M、第一电阻R1、第二电阻R2和运算比较器(205);

所述忆阻器M的一端作为所述联想记忆电路的第一输入端(201),所述忆阻器M的另一端连接至所述运算比较器(205)的第一输入端;

所述第一电阻R1的一端作为所述联想记忆电路的第二输入端(202),所述第一电阻R1的另一端连接至所述运算比较器(205)的第一输入端;

所述第二电阻R2的一端连接至所述运算比较器(205)的第一输入端,所述第二电阻R2的另一端接地;

所述运算比较器(205)的第二输入端用于连接参考电压,所述运算比较器(205)的输出端作为所述联想记忆电路的输出端(206);

所述联想记忆电路的第一输入端(201)和第二输入端(202)分别用于接收条件刺激信号和非条件刺激信号,所述联想记忆电路的输出端(206)用于输出反应信号。

3.一种基于忆阻器的联想记忆电路,其特征在于,用于模拟生物的联想记忆行为;所述联想记忆电路包括忆阻器M、第一电阻R1、第二电阻R2和运算比较器(307);

所述第一电阻R1和所述忆阻器M依次串联在所述运算比较器(307)的第一输入端,所述忆阻器M的非串联连接端作为所述联想记忆电路的第一输入端(301);

所述第一电阻R1和所述忆阻器M的串联连接端作为所述联想记忆电路的第二输入端(305);

所述第二电阻R2的一端连接至所述运算比较器(307)的第一输入端,所述第二电阻R2的另一端接地;

所述运算比较器(307)的第二输入端用于连接参考电压,所述运算比较器(307)的输出端作为所述联想记忆电路的输出端(306);

所述联想记忆电路的第一输入端(301)和第二输入端(305)分别用于接收条件刺激信号和非条件刺激信号,所述联想记忆电路的输出端(306)用于输出反应信号。

4.如权利要求1-3任一项所述的联想记忆电路,其特征在于,当条件刺激信号先于非条件刺激信号很短或者两个信号同时输入时,所述联想记忆电路形成联想记忆;当条件刺激信号落后于非条件刺激信号输入时,所述联想记忆电路无法形成联想记忆;当联想记忆已经形成后,若同时输入条件刺激信号和非条件刺激信号,当条件刺激信号先于非条件刺激信号很长时间,联想记忆将被遗忘;若持续单独输入条件刺激信号,联想记忆也将被遗忘。

5.如权利要求1-3任一项所述的联想记忆电路,其特征在于,所述定值电阻R的阻值近似等于忆阻器低阻阻值。

6.如权利要求1-3任一项所述的联想记忆电路,其特征在于,所述参考电压的值根据所施加信号在比较器第一输入端的电压值来确定。

7.如权利要求1-3任一项所述的联想记忆电路,其特征在于,所述忆阻器包括依次电连接的第一电极层(401)、功能材料层(402)和第二电极层(403)。

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