[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201310516917.2 申请日: 2013-10-28
公开(公告)号: CN103513483A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 吴洪江;袁剑峰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李相雨
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种阵列基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展,高透过率、大尺寸、低功耗和低成本的显示面板成为了未来的发展方向。

现有的TFT-LCD阵列基板的栅极扫描线多为单线结构,图1示出了现有阵列基板结构的顶视图,图2示出了沿图1的A-A线截取的截面图。如图1和2所示,在玻璃基板11上形成栅极扫描线12,在栅极扫描线12上覆盖绝缘层13,绝缘层13通常由氮化硅构成。在绝缘层13上形成有源层14,并在有源层14上形成数据扫描线15,对数据扫描线15进行蚀刻,以形成TFT晶体管的源极和漏极。在数据扫描线15上形成保护层16,并对保护层16进行蚀刻,以在TFT晶体管的漏极上形成过孔。然后在保护层上形成像素电极17,像素电极17通过保护层16上的过孔与TFT晶体管的漏极连接。

为了减少使用数据驱动器的数量以降低成本,现有技术中还存在有一种双栅极扫描线的结构来减少数据驱动器的使用数量。在这种双栅极扫描线结构中,两条栅极扫描线平行设置在同一层上,虽然扫描线的数量加倍,但由于数据线的数目减半,因此减少了整体所需的数据驱动器数量。

但是,这样制造的阵列基板存在如下缺点:其一数据扫描线与栅极扫描线组成的网格结构对应的黑矩阵遮光区域较多,显示面板的开口率和透过率偏低;其二显示面板的分辨率受数据扫描线和栅极扫描线限制偏低,不利于高PPI(Pixels per inch,每英寸的像素数)产品的设计与制备;其三驱动方式是行翻转模式,画面品质效果不理想。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种画面品质优良的阵列基板。

为此目的,本发明提出了一种阵列基板,包括:基板、形成在所述基板上的第一栅极扫描线、形成在所述第一栅极扫描线上的第一栅极绝缘层、形成在所述第一栅极绝缘层上的有源层、形成在所述有源层上且垂直于所述第一栅极扫描线的数据扫描线、以及形成在所述数据扫描线上的由所述第一栅极扫描线和所述数据扫描线所定义的像素单元中的像素电极,所述阵列基板还包括:第二栅极扫描线,形成在所述第一栅极扫描线上方或下方,并且所述第二栅极扫描线分别与所述第一栅极扫描线、所述有源层、所述数据扫描线及所述像素电极绝缘设置。

优选地,所述第二栅极扫描线位于所述第一栅极绝缘层与所述有源层之间,且通过第二栅极绝缘层与所述有源层绝缘。

优选地,所述第二栅极扫描线与所述第一栅极扫描线在所述阵列基板的堆叠方向上至少部分重合。

优选地,所述第一栅极扫描线由第一导电条和从所述第一导电条的一侧延伸出的多个第一凸部构成,所述第一凸部沿所述第一导电条的延伸方向等间隔地设置在所述第一导电条的一侧上。

优选地,所述第二栅极扫描线由第二导电条和从所述第二导电条的一侧延伸出的多个第二凸部构成,所述第二导电条与所述第一导电条在所述堆叠方向上重合,所述第二凸部沿所述第二导电条的延伸方向等间隔地设置在所述第二导电条的与所述第一凸部相对的侧上,且与所述第一凸部交错设置。

优选地,所述第二栅极扫描线由第二导电条和从所述第二导电条的一侧延伸出的多个第二凸部构成,所述第二导电条与所述第一导电条在所述堆叠方向上重合,所述第二凸部沿所述第二导电条的延伸方向等间隔地设置在所述第二导电条的与所述第一凸部相对的侧上,且与所述第一凸部齐平。

优选地,所述数据扫描线由第三导电条和从所述第三导电条延伸出的多个第三凸部构成,所述第三导电条垂直于所述第一导电条和所述第二导电条,且位于相邻的所述第一凸部与所述第二凸部之间,所述第三凸部形成在每个第一凸部和第二凸部上方。

优选地,所述第一绝缘层和/或第二绝缘层的材料为有机介电膜。

优选地,所述有机介电膜包括聚乙烯、聚碳酸脂、聚苯乙烯、聚酰亚胺、丙烯酸酯中的至少一种。

优选地,在每个所述像素单元中具有两个所述像素电极。

本发明还提出了一种阵列基板的制造方法,包括:在基板上形成第一栅极扫描线;在所述第一栅极扫描线上形成第一栅极绝缘层;在所述第一栅极绝缘层上形成有源层;在所述有源层上形成数据扫描线,所述数据扫描线垂直于所述第一栅极扫描线;在所述数据扫描线上的由所述第一栅极扫描线与所述数据扫描线所定义的像素单元中形成像素电极,所述制造方法还包括:在所述第一栅极扫描线上方或下方形成第二栅极扫描线,所述第二栅极扫描线分别与所述第一栅极扫描线、所述有源层、所述数据扫描线及所述像素电极绝缘设置。

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