[发明专利]基于嵌入式微控制器的超级电容高能脉冲源有效
申请号: | 201310517006.1 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN103545890B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 荆丙礼 | 申请(专利权)人: | 荆丙礼 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 西安新思维专利商标事务所有限公司61114 | 代理人: | 韩翎 |
地址: | 710086 陕西省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 嵌入 式微 控制器 超级 电容 高能 脉冲 | ||
1.一种基于嵌入式微控制器的超级电容高能脉冲源,包括嵌入式微控制器主控单元(1)和超级电容(4),其特征在于:所述的主控单元(1)分别连接电容充电控制开关单元(3)和电池充电控制开关单元(6),在电容充电控制开关单元(3)和电池充电控制开关单元(6)之间连接超级电容单元(4),超级电容单元(4)连接电容均衡电路(5),充电源(2)依次串联连接电容充电开关单元(3)、电池充电控制开关单元(6)至电池单元(7)。
2.根据权利要求1所述的基于嵌入式微控制器的超级电容高能脉冲源,其特征在于:所述的电容均衡电路单元(5)包括自检测闭环均衡电路和微控制器闭环均衡电路,超级电容单元(4)与电容均衡电路单元(5)并联连接,且超级电容单元(4)为超级电容单体或并联组合。
3.根据权利要求1或2所述的基于嵌入式微控制器的超级电容高能脉冲源,其特征在于:所述自检测闭环均衡电路,包括可控电子负载A单元(8)、阈值检测/调理单元(9)和驱动单元(10),所述的超级电容单元(4)与可控电子负载A单元(8)并联连接,可控电子负载A单元(8)上端与阈值检测/调理单元(9)连接,可控电子负载A单元(8)控制端和阈值检测/调理单元(9)之间连接驱动单元(10)。
4.根据权利要求1或2所述的基于嵌入式微控制器的超级电容高能脉冲源,其特征在于:所述微控制器闭环均衡电路,包括可控电子负载B单元(11)、接口单元(12)和信号调理/驱动单元(13),所述的超级电容单元(4)与可控电子负载B单元(11)并联连接,可控电子负载B单元(11)控制端与信号调理/驱动单元(13)连接,微控制器主控单元(1)分别连接接口单元(12)和信号调理/驱动单元(13)的另一端。
5.根据权利要求3所述的基于嵌入式微控制器的超级电容高能脉冲源,其特征在于:单组超级电容单元(4)与电容均衡电路单元(5)并联构成超级电容应用体,多个超级电容应用体的连接为串联连接,且系统包含的超级电容应用体的数目不受限制。
6.根据权利要求4所述的基于嵌入式微控制器的超级电容高能脉冲源,其特征在于:单组超级电容单元(4)与电容均衡电路单元(5)并联构成超级电容应用体,多个超级电容应用体的连接为串联连接,且系统包含的超级电容应用体的数目不受限制。
7.根据权利要求1所述的基于嵌入式微控制器的超级电容高能脉冲源,其特征在于:所述电容充电开关单元(3)和电池充电开关单元(6)包括各种电子开关器件构成的开关电路,以及固态开关、电磁开关或光电开关模块,所述电子开关器件包括:开关三极管、达林顿管、IGBT、MOS功率开关、单向或双向可控硅晶体管开关器件。
8.根据权利要求6所述的基于嵌入式微控制器的超级电容高能脉冲源,其特征在于:所述的电容充电控制开关单元(3)用于高能脉冲源电压幅度调节。
9.根据权利要求1所述的基于嵌入式微控制器的超级电容高能脉冲源,其特征在于:所述嵌入式微控制器单元(1)包括8位、16位、32位MCU、DSP、PLC、FPGA及SOC嵌入式微控制器及可编程逻辑器件。
10. 根据权利要求1所述的基于嵌入式微控制器的超级电容高能脉冲源,其特征在于:所述微控制器主控单元(1)是系统的核心控制单元,该主控单元除输出不同时序和占空比的PWM信号控制电容充电开关单元(3)和电池充电开关单元(6)外,同时实现系统数据采集、信号处理、算法优化、过程管理、全部终端控制及人机界面接口。
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