[发明专利]光刻套刻标记及其形成方法

权利要求书

1.光刻套刻标记的形成方法，其特征在于，步骤包括：

1）在第一层晶片上形成薄氧化层；

2）在第一层晶片上刻蚀出凹槽形光刻套刻标记；

3）在第一层晶片上进行正常的涂胶、光刻、显影、蚀刻工艺步骤，形成所需的集成电路图形，然后去除薄氧化层；

4）在第一层晶片上形成蚀刻中止层；

5）将第一层晶片和第二层晶片键合；

6）将第二层晶片对准第一层晶片上的光刻套刻标记，在第二层晶片上涂布光刻胶，曝光显影，形成所需的集成电路图形和光刻套刻标记图形；

7）在第二层晶片上刻蚀出凹槽形光刻套刻标记以及所需的集成电路图形，并使第一层晶片上的光刻套刻标记露出。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第二层晶片上的光刻套刻标记的凹槽截面尺寸大于第一层晶片上的光刻套刻标记的凹槽截面尺寸。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤2）所述凹槽的截面尺寸为10μm×10μm；步骤7）所述凹槽的截面尺寸为20μm×20μm～30μm×30μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1），所述薄氧化层的厚度为125埃米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4），所述蚀刻中止层的厚度为5000埃米。

6.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述蚀刻中止层为热氧化层。

7.用权利要求1-6任何一项所述方法形成的光刻套刻标记，其特征在于，光刻套刻标记的截面呈凹槽形，下层晶片上的光刻套刻标记的表面有一层蚀刻中止层。

8.根据权利要求7所述的光刻套刻标记，其特征在于，下层晶片上的光刻套刻标记的截面尺寸小于上层晶片上的光刻套刻标记的截面尺寸。

9.根据权利要求8所述的光刻套刻标记，其特征在于，下层晶片上的光刻套刻标记的截面尺寸为10μm×10μm；上层晶片上的光刻套刻标记的截面尺寸为20μm×20μm～30μm×30μm。

10.根据权利要求7所述的光刻套刻标记，其特征在于，所述蚀刻中止层为热氧化层。