[发明专利]弛豫铁电单晶铌钪酸铅在审
申请号: | 201310519614.6 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN103541013A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 王祖建;龙西法;李修芝;何超;刘颖;李涛;庞东方 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B9/04;C30B9/12 |
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地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弛豫铁电单晶铌钪酸铅 | ||
1.一种弛豫铁电晶体铌钪酸铅,其特征在于:该晶体化学式为Pb(Sc1/2Nb1/2)O3,属于钙钛矿型结构。
2.如权利要求1所述的晶体铌钪酸铅,其特征在于:该晶体为具有B位复合结构的弛豫体。
3.一种权利要求1所述的弛豫铁电晶体铌钪酸铅的生长方法,采用顶部籽晶法进行晶体生长,包括如下步骤:将初始原料PbO、Sc2O3和Nb2O5按照Pb(Sc1/2Nb1/2)O3分子式的化学计量比进行称重,混合研磨,装入铂金坩埚,将坩埚放入熔盐炉,调中,籽晶用铂丝在籽晶杆一端绑好,把杆装在炉架上,调中,将炉子、坩埚和籽晶杆三者一起调中,保证其中心在一条直线上,盖好炉盖;升温至1080℃,恒温2d,下籽晶找生长点,尝试确定为1060℃,最终确定1060℃进行晶体生长,降温速率为2℃/d,降至1000℃时提起晶体,退火至室温,得到Pb(Sc1/2Nb1/2)O3晶体样品。
4.一种权利要求1所述的弛豫铁电晶体铌钪酸铅的电学性能,其特征在于:该材料具有完美的电滞回线,其介电温谱表现出典型的弛豫性。
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