[发明专利]基于ARM嵌入式微处理器的无功补偿装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种无功补偿装置，具体涉及一种基于ARM嵌入式微处理器的无功补偿装置。

背景技术

随着电力电子技术的发展应用，大量非线性电力电子器件和装置广泛应用于现代工业，这些设备的运行使得电网谐波污染无功损耗日益严重，如何提高和保证电能质量，已成为国内外迫切需要解决的重要课题之一。静止无功补偿器SVC(Static V盯Compensator)、静止无功发生器SVG(Static Var G．en．erator)和有源滤波装置APF(Actiye P0wer Filter)的控制复杂，价格昂贵，采用并联电容器组来进行无功补偿，仍是我国现行使用的主要无功补偿装置。由于电容的切投是分级进行的，故产生的补偿电流也是阶跃式的，无法使电网无功功率得到恰当的补偿，经常使电网处于过补或欠补状态，功率因数不能接近。考虑到上述电容并联、分级投切补偿方案的缺点。

发明内容

本发明提供一种基于ARM嵌入式微处理器的无功补偿装置，其适用于高压三相对称系统的基于软开关投切技术的连续无功补偿装置，能够实现无功功率的连续调节，使功率因数更接近于l，不会造成过补，且避免了反复投切的问题。

本发明的技术解决方案是：

一种基于ARM嵌入式微处理器的无功补偿装置，包括基于ARM架构的32位微处理器，其特殊之处在于：所述32位微处理器连接有16MB非线性Flash、8MB SDEM、IBM线性Flash、LCD显示、通讯接口、状态信号输入DI接口、状态信号输出DO接口以及键盘。

上述32位微处理器为型号为S3C44B0X的32位微处理器。

上述通讯接口包括TCP/IP协议和两个RS232串行通信接口。

上述键盘为4×4键盘。

本发明的优点在于：适用于高压三相对称系统的基于软开关投切技术的连续无功补偿装置，能够实现无功功率的连续调节，使功率因数更接近于l，不会造成过补，且避免了反复投切的问题。

附图说明

图1为本发明结构示意框图。

具体实施方式

参见图1，一种基于ARM嵌入式微处理器的无功补偿装置，包括基于ARM架构的32位微处理器， 32位微处理器连接有16MB非线性Flash、8MB SDEM、IBM线性Flash、LCD显示、通讯接口、状态信号输入DI接口、状态信号输出DO接口以及键盘。32位微处理器为型号为S3C44B0X的32位微处理器。通讯接口包括TCP/IP协议和两个RS232串行通信接口。键盘为4×4键盘。

本发明采用的S3C4480X微处理器是三星公司专为手持设备和一般应用提供的高性价比和高性能的微控制器解决方案，它是以ARM7TDMI为核心的32位嵌入式处理器，工作在66 MHz，具有8个存储体(Bank)，每个Bank可达32 Mb，总共可达256 Mb。采用L／O地址和存储空间统一编址。8个Bank中，Bank0一Bank5可支持ROM、sRAM、兀aush RoM等线性寻址的存储器和接口元件；BaIlk6、Bank 7还可支持FP／EDO／SDRAM等，每个Bank都可以配置自己的读写周期、数据位数(8位／16缈32位)、数据格式(大端／小端)等。这款芯片中还集成了下列部件：8KbCache、外部存储器控制器、LCD控制器、4个DMA通道、2通道uART、1个12C总线控制器、1个IIs总线控制器、5通道PwM定时器及一个内部定时器、71个通用I／O口、8个外部中断源、实时时钟、8通道10位ADC等。