[发明专利]多层矢量图形存储为曝光数据的方法及系统

说明书

技术领域

本发明属于光刻技术领域，尤其涉及一种将多层矢量图形存储为曝光数据的方法及系统。

背景技术

光刻技术是用于在衬底表面上印刷具有一定特征的构图的技术，上述的衬底可用做制造半导体器件、多种集成电路、平面显示器（例如液晶显示器）、电路板、生物芯片、微机械电子芯片、光电子线路芯片等的基片。经常使用的基片为表面涂有光敏感介质的半导体晶片或玻璃基片。

在光刻过程中，晶片放置在晶片台上，通过处在光刻设备内的曝光装置，将特征构图投射到晶片表面。传统技术中，半导体行业使用分步重复式或分步扫描式光刻工具，利用分划板将特征构图在各个场一次性的投影或扫描到晶片上，一次曝光或扫描一个场，然后通过移动晶片来对下一个场进行重复性的曝光过程。

传统的光刻技术通过重复性曝光或扫描过程，实现高产出的精确特征构图的印刷。然而，为了在晶片上制造器件，需要多个掩膜板。由于特征尺寸的减少以及对于较小特征尺寸的精确公差需求的原因，这些掩膜板对于生产而言成本很高，耗时很长，从而使利用掩膜板的传统晶片光刻制造成本越来越高，非常昂贵。无掩模（如直接写或数字式等）光刻技术相对于传统使用掩膜板的方法，在光刻方面提供了许多益处,无掩模技术使用空间图形发生器(SLM)来代替掩膜板，SLM主要包含一个投影设备，如空间微镜阵列(DMD)或液晶显示器(LCD)。GDSⅡ文件是多层次结构文件，含矢量图形，在分层保存时，容易出现丢失。在不同的无掩膜光刻系统中，如果参数不正确，则易出错（如分割精度、分割后图层不匹配等）。

发明内容

本发明的目的是提供一种多层矢量图形存储为曝光数据的方法及系统，以解决现有技术中由于多层矢量图形无法准确存储，从而不能准确光刻的问题。

为了达到本发明的目的，本发明提供了一种多层矢量图形存储为曝光数据的方法，包括：

第1步，将待曝光的多层矢量图形栅格化；

第2步，将栅格化后的所述多层矢量图形数字化；

第3步，将数字化后的所述多层矢量图形，利用八叉树分割法分割，对分割后的多层矢量图形数据，采用八叉树数据结构进行存储。

优选地，在第1步中，所述将待曝光的多层矢量图形栅格化具体为，将所述多层矢量图形的多层分别进行大小均匀的网格阵列的划分；在第2步中，所述将多层矢量图形数字化具体为，将栅格化后的所述多层矢量图形的网格均设置0或者1表示，位于曝光区域的所述网格设置1，位于非曝光区域的所述网格设置0。

优选地，在第3步中，所述八叉树分割法，包括：

第1步，设定最大递归深度；

第2步，找出所述多层矢量图形的最大尺寸，并以此尺寸建立第一个立方体；

第3步，依序将单位元元素丢入能被包含且没有子节点的立方体；

第4步，若没有达到最大递归深度，就进行细分八等份，再将该立方体所装的单位元元素全部分担给八个子立方体；

第5步，若发现子立方体所分配到的单位元元素数量不为零且跟父立方体是一样的，则该子立方体停止细分。

第6步，重复第3步骤，直到达到最大递归深度；

优选地，所述的采用八叉树数据结构进行存储，具体为，对经过八叉树分割法分割后的所述立方体设为结点，将所述结点上的网格依次标记为1、2、3、4、5、6、7、8个子结点，存储后，一个记录与一个结点相对应，所述记录中描述的是与之对应的所述结点的八个子结点的特性值。

优选地，所述多层矢量图形为GDSⅡ图形。

相应地，本发明提供了一种多层矢量图形存储为曝光数据的系统，包括:栅格化单元、数字化单元、八叉树分割单元、八叉树数据存储单元，所述栅格化单元用于将待曝光的多层矢量图形栅格化；所述数字化单元用于将栅格化后的所述多层矢量图形数字化；所述八叉树分割单元用于将数字化后的所述多层矢量图形，利用八叉树分割法分割；所述八叉树数据存储单元用于对分割后的多层矢量图形数据，采用八叉树数据结构进行存储。

优选地，所述栅格化单元具体用于，将所述多层矢量图形的多层分别进行大小均匀的网格阵列的划分；所述数字化单元具体用于，将栅格化后的所述多层矢量图形的网格均设置0或者1表示，位于曝光区域的所述网格设置1，位于非曝光区域的所述网格设置0。

优选地，所述八叉树分割单元具体用于，包括：

第1步，设定最大递归深度；

第2步，找出所述多层矢量图形的最大尺寸，并以此尺寸建立第一个立方体；

第3步，依序将单位元元素丢入能被包含且没有子节点的立方体；