[发明专利]具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件的

制备方法，

该具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件的制备方法包括以下主要步骤：

步骤一，标准清洗流程，场氧LPCVD方法淀积场区二氧化硅，淀积厚度500nm；

步骤二，光刻有源区1，光刻版，HF漂洗；淀积多晶硅标准LPCVD多晶硅淀积工艺，厚度在600nm；多晶硅掺杂磷离子注入，剂量4×10¹⁵cm，能量120keV；

步骤三，刻蚀多晶硅，等离子体刻蚀；牺牲氧化样片1，1050度干氧氧化l0分钟：离子注入退火1050度N₂气氛退火，40分钟；

步骤四，腐蚀牺牲氧化层样片1，光刻版，HF漂洗；标准清洗流程；形成栅氧和侧墙，1050度干氧氧化90分钟；

步骤五，氧化后退火1050度N₂气氛退火，30分钟；光刻源漏接触区，HF漂沈；光刻会属引线44光刻版，形成金属电极蒸发Ti，150nm，剥离；

步骤六，合金退火700度N₂气氛退火，30秒。

2.如权利要求1所述的具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件的制备方法，其特征在于，该具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件的制备方法需要四块光刻掩模版，基本描述如下：

有源区光刻掩模版，去掉有源区的二氧化硅；源漏区掩模版，刻蚀掉源漏区以外的多晶硅；源漏接触孔掩模版，去掉源漏接触孔的二氧化硅，形成接触窗口；源漏栅金属掩模版，形成源漏栅接触和压焊点。

3.一种具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件，其特征在于，该具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件包括：衬底和外延层；外延层设置在衬底的上面。

4.如权利要求3所述的具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件，其特征在于，外延层的厚度为2μm的掺硼外延层，硼的掺杂浓度为1.4×10¹⁶cm^-3。

5.如权利要求3所述的具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件，其特征在于，该具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件的单管栅长分别1.5μm，栅宽为30μm。

6.如权利要求3所述的具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件，其特征在于，室温下不同侧墙厚度对MOSFET器件特性的影响，小于0.12μm的侧墙使器件的饱和电流有减小，器件的跨导降低，侧墙大于0.12μm后，器件不能正常开启，饱和电流急剧减小，sidewall＝0.3μm时器件的饱和电流不到1μA/μm；

表面反型后n型沟道和侧墙下的p型区形成pn结，沟道的打开寄希望于pn结空间电荷区的横向扩展，下式给出了pn结势垒宽度的表达式：

xD=(VD-V)2ϵSiCq(1n+1NA)]]>

式中V_D为pn结的自建势，V表示加在pn结上的电压，n为沟道中的电子浓度，对于N沟MOSFET，源极接低电位，源端pn结反偏（V<0），源漏电压增大pn结的势垒区变宽，所以在侧墙大于0.12μm后需要增大源漏电压器件才能开启。