[发明专利]一种清洗单晶硅片表面的方法

权利要求书

1.一种清洗单晶硅片表面的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在预清洗槽内加入双氧水和氢氧化钠得到混合溶液，在该混合溶液中双氧水的浓度为2%—3%，NaOH的浓度为0.15%—0.3%，配合超声对单晶硅片进行清洗，清洗时混合溶液浸没过单晶硅片。 

2.如权利要求1所述的一种清洗单晶硅片表面的方法，其特征在于：其中超声具体是采用超声波发生器，该超声波发生器由槽体底部发出超声，对单晶硅片进行震荡清洗，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间为300s—550s。 

3.如权利要求1所述的一种清洗单晶硅片表面的方法，其特征在于：其中预清洗槽内混合溶液温度控制在55℃—70℃。 

4.如权利要求1所述的一种清洗单晶硅片表面的方法，其特征在于：其中将清洗后的单晶硅片加入清洗液中浸没，在该清洗液中NaOH浓度为1.3-1.5%，IPA浓度为4%—5.5%，添加剂单晶硅片制绒辅助剂浓度为0.2%—0.23%，控制温度为78℃—80℃，清洗时间为1020—1200秒。