[发明专利]有机发光显示设备有效
申请号: | 201310522005.6 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN103794629A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 曹贵正;李在万;许晶行;安昭妍;金怠植;崔喜栋 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 | ||
1.一种有机发光显示设备,该有机发光显示设备包括:
在衬底上彼此相对的第一电极和第二电极;
在所述第一电极和所述第二电极之间形成的至少两个发光单元;
在所述发光单元之间顺序堆叠的N型电荷发生层和P型电荷发生层;以及
至少一个辅助电荷发生层,该至少一个辅助电荷发生层形成在所述P型电荷发生层和所述N型电荷发生层中的至少任意一个与安置在所述发光单元中的至少任意一个发光单元的上部或者下部上的所述发光单元的发射层之间,并且生成提供到所述发光单元的发射层的电子和空穴。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述至少两个发光单元包括:
第一发光单元,该第一发光单元包括空穴注入层、第一空穴传输层、第一发射层和第一电子传输层,这些层在所述第一电极与所述N型电荷发生层之间堆叠;以及
第二发光单元,该第二发光单元包括第二空穴传输层、所述辅助电荷发生层、第三空穴传输层、第二发射层和第二电子传输层,这些层在所述P型电荷发生层与所述第二电极之间堆叠。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备,其中,所述辅助电荷发生层包括与所述P型电荷发生层的材料相同或者不同的材料,所述P型电荷发生层组合地包括能够传输空穴的主体以及重量百分比为1%至99%的p型掺杂剂,或者包括HAT-CN,
所述主体包括与所述第二空穴传输层和所述第三空穴传输层中的至少任意一个的材料相同或者不同的材料。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述辅助电荷发生层包括第一辅助电荷发生层和第二辅助电荷发生层,并且
所述至少两个发光单元包括:
第一发光单元,该第一发光单元包括空穴注入层、第一空穴传输层、第一发射层和第一电子传输层,这些层在所述第一电极和所述N型电荷发生层之间堆叠;以及
第二发光单元,该第二发光单元包括第二空穴传输层、所述第一辅助电荷发生层、第三空穴传输层、所述第二辅助电荷发生层、第四空穴传输层、第二发射层和第二电子传输层,这些层在所述P型电荷发生层与所述第二电极之间堆叠。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示设备,其中,所述第一辅助电荷发生层和所述第二辅助电荷发生层包括相同的材料或者不同的材料,所述第一辅助电荷发生层与所述第二辅助电荷发生层中的每一个均包括与所述P型电荷发生层的材料相同或者不同的材料,并且所述P型电荷发生层组合地包括能够传输空穴的主体以及重量百分比为1%至99%的p型掺杂剂,或者包括HAT-CN。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示设备,其中,当所述第一辅助电荷发生层和所述第二辅助电荷发生层组合地包括能够传输空穴的主体以及p型掺杂剂时,所述主体包括与所述第二空穴传输层、所述第三空穴传输层和所述第四空穴传输层中的至少任意一个的材料相同的材料,所述第一辅助电荷发生层和所述第二辅助电荷发生层中每一个的主体相同或者不同,并且所述第一辅助电荷发生层和所述第二辅助电荷发生层每一个中掺杂的p型掺杂剂的浓度相同或者不同。
7.根据权利要求3或6所述的有机发光显示设备,其中,所述p型掺杂剂包括由以下式1至式6中任一个表示的有机化合物,其中R1至R6可以用氟基或者氰基来替换或者不用其替换:
8.根据权利要求3或5所述的有机发光显示设备,其中,所述P型电荷发生层包括能够传输空穴的主体以及重量百分比为1%至30%的p型掺杂剂。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述至少两个发光单元包括:
第一发光单元,该第一发光单元包括空穴注入层、第一空穴传输层、第一发射层、第一电子传输层、所述辅助电荷发生层和第二电子传输层,这些层在所述第一电极和所述N型电荷发生层之间堆叠;以及
第二发光单元,该第二发光单元包括第二空穴传输层、第二发射层和第三电子传输层,这些层在所述P型电荷发生层和所述第二电极之间堆叠。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示设备,其中,所述辅助电荷发生层包括与所述N型电荷发生层的材料相同或者不同的材料,并且具有与所述N型电荷发生层的厚度相同或者更小的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的