[发明专利]一种能提升冶金级硅片少子寿命的扩散工艺

权利要求书

1.一种能提升冶金级硅片少子寿命的扩散工艺，其特征在于，包括如下步骤：

（1）低温进舟、初步升温：在初始温度为810-820℃时开始向炉管内推进承载硅片的石英舟，控制进舟速度为400-500mm/min，进舟完成后将温度升至830-840℃并在氮氧共存的气氛下保温5-7min，氮、氧的流量分别控制在1200-1400mL/min、23000-29000mL/min；

（2）通源扩散：在保温过程后，由氮气携带液态的三氯氧磷进入炉管在氮气气氛下与氧气及硅表面发生反应生成磷原子扩散进入硅片来进行通源扩散；

（3）恒温推进：通源扩散后，将温度保持在840-850℃，在氮氧共存的气氛下保温360-600s，氮、氧的流量分别控制在1800-2000mL/min、23000-29000mL/min；

（4）降温、退舟：停止通氧，在氮气气氛下，将炉内温度降至810-820℃，控制退舟的速度保持在300-400mm/min进行退舟。

2.如权利要求1所述的一种能提升冶金级硅片少子寿命的扩散工艺，其特征在于：其中在整个扩散工艺过程中气体总量保持不变，从而使工艺过程中炉管内压力恒定。

3.如权利要求1所述的一种能提升冶金级硅片少子寿命的扩散工艺，其特征在于：其中石英舟的每个卡槽只有一片硅片，从而实现双面扩散。

4.如权利要求1所述的一种能提升冶金级硅片少子寿命的扩散工艺，其特征在于：其中通源扩散分三步完成，三步中携带三氯氧磷的氮气、氧气、大氮的流量分别控制在1200-1400mL/min、1200-1400mL/min、23000-29000mL/min，三者流量比例在1:1:20，三步扩散温度依次递增3-5℃，三步通源扩散的时间分别在500-600s、300-420s、300-360s。