[发明专利]一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法有效
| 申请号： | 201310522024.9 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103531666A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 彭文强;廖建刚;丁艳;李归利 | 申请（专利权）人： | 宁夏银星能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人： | 赵明辉 |
| 地址： | 750021 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 处理 物理 冶金 单晶硅 返工 方法 | ||
1.一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）在1#预清洗槽内加入双氧水溶液并且浸没过返工片，溶液中双氧水质量浓度为4%—6%，同时配合超声清洗返工片，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间300s—550s；
（2）在2#预清洗槽内加入纯水并且浸没过返工片，控制温度为55℃—65℃，同时配合超声对返工片进行漂洗，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间250s—300s。
2.如权利要求1所述的一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法，其特征在于：当制绒槽内的溶液为刚失效的溶液时，先将制绒槽内的溶液排掉1/3，然后注入等量纯水稀释溶液，然后在溶液内补加添加剂、NaOH和异丙醇，控制每升稀释后的溶液加入1.55mL添加剂，8.2g NaOH，10mL异丙醇；最后将步骤（2）得到的返工片在上述制绒槽内进行清洗制绒工序即可。
3.如权利要求1所述的一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法，其特征在于：其中返工片是指清洗制绒工序、扩散工序或刻蚀工序产生的返工片。
4.如权利要求1所述的一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法，其特征在于：其中返工片是指PECVD工序产生的返工片，并且先用质量浓度为8%—15%的HF溶液浸泡该返工片28—35分钟，从而将其表面的减反射膜去掉，最后干燥即可。
5.如权利要求2所述的一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法，其特征在于：其中添加剂采用单晶硅片制绒辅助剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
