[发明专利]像素结构、阵列基板、显示装置及像素结构的制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，包括：设置有源漏极层的衬底基板，覆盖所述源漏极层的第一钝化层，所述第一钝化层具有与所述源漏极层连通的第一过孔，覆盖所述第一钝化层的树脂层，所述树脂层具有与所述第一过孔对应的第二过孔，设置于所述树脂层上的第一透明电极层，位于所述树脂层上并覆盖所述第一透明电极层的第二钝化层，所述第二钝化层具有与所述第二过孔对应的第三过孔；其特征在于，还包括：

设置于所述第一过孔内的导电补偿块；

设置于所述第二钝化层上、所述第三过孔内、所述第二过孔内和所述第一过孔内的第二透明电极层；所述第二透明电极层通过所述导电补偿块与所述源漏极层电连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述导电补偿块的厚度、第二透明电极层的厚度、第一钝化层的厚度满足以下关系式：

T1+T2≥T3

其中，T1为导电补偿块的厚度，T2为第二透明电极层的厚度，T3为第一钝化层的厚度。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述导电补偿块的厚度、第二透明电极层的厚度、第一钝化层的厚度满足以下关系式：

T1+T2≥1.4×T3

其中，T1为导电补偿块的厚度，T2为第二透明电极层的厚度，T3为第一钝化层的厚度。

4.如权利要求1-3任一所述的像素结构，其特征在于，所述导电补偿块为氧化铟锡补偿块、钼补偿块或钼铝合金补偿块。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二钝化层包括：设置于所述树脂层、所述第一透明电极层、所述第一过孔内和所述第二过孔内的透明氧化物层，设置于所述透明氧化物层上的氮化硅层；

所述导电补偿块的厚度与所述透明氧化物层的厚度相等。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板和所述源漏极层之间的栅极层、栅极绝缘层和有源层；其中，

所述栅极层设置于所述衬底基板上；

所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层；

所述有源层设置于所述栅极绝缘层上。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括：多个如权利要求1-6任一所述的像素结构。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。

9.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：

通过一次图形化处理工艺，在衬底基板的上表面形成图形化的栅极层；

形成覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；

通过一次图形化处理工艺，在所述栅极绝缘层的上表面形成图形化的有源层；

通过一次图形化处理工艺，形成覆盖所述有源层的源漏极层；

通过一次图形化处理工艺，形成图形化的第一钝化层和图形化的树脂层；其中，所述第一钝化层覆盖所述源漏极层，且所述第一钝化层具有与所述源漏极层连通的第一过孔；所述树脂层设置于所述第一钝化层的上表面，且所述树脂层具有与所述第一过孔对应的第二过孔；

通过一次图形化处理工艺，在树脂层的上表面形成图形化的第一透明电极层，以及在所述第一过孔内形成一个导电补偿块；

通过一次图形化处理工艺，形成覆盖所述树脂层和所述第一透明电极层的第二钝化层，所述第二钝化层具有与所述第二过孔对应的第三过孔；

通过一次图形化处理工艺，在所述第二钝化层的上表面、所述第三过孔内、所述第二过孔内和所述第一过孔内形成第二透明电极层，所述第二透明电极层通过所述导电补偿块与所述源漏极层电连接。

10.如权利要求9所述的像素结构的制造方法，其特征在于，通过一次图形化处理工艺，形成图形化的第一钝化层和图形化的树脂层，具体包括：

在所述源漏极层上涂覆钝化材料形成第一钝化层；

在第一钝化层上涂覆树脂形成树脂层；

通过掩膜、刻蚀、剥离工序在树脂层上形成第二过孔，在第一钝化层上形成第一过孔，且所述第一过孔与所述第二过孔对应。

11.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：

通过一次图形化处理工艺，在衬底基板的上表面形成图形化的栅极层；

形成覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；

通过一次图形化处理工艺，在所述栅极绝缘层的上表面形成图形化的有源层；

通过一次图形化处理工艺，形成覆盖所述有源层的源漏极层；

通过一次图形化处理工艺，形成图形化的第一钝化层和图形化的树脂层；其中，所述第一钝化层覆盖所述源漏极层，且所述第一钝化层具有与所述源漏极层连通的第一过孔；所述树脂层设置于所述第一钝化层的上表面，且所述树脂层具有与所述第一过孔对应的第二过孔；

通过一次图形化处理工艺，在所述树脂层上形成第一透明电极层；

在所述第一透明电极层上、所述树脂层上、所述第一过孔中和所述第二过孔中形成第二钝化层，所述第二钝化层包括：形成在所述第一透明电极层上、所述树脂层上以及所述第一过孔中、所述第二过孔中的透明氧化层，形成在所述透明氧化层上的氮化硅层；

通过掩膜、刻蚀工序，在所述氮化硅层与所述第一过孔对应的区域形成与所述透明氧化层连通的第三过孔；

通过等离子处理工艺，使所述透明氧化层与所述第一过孔对应的区域变成导电体，所述导电体即为所述导电补偿块；

通过一次图形化处理工艺，在所述第二钝化层的上表面、所述第三过孔内壁上、所述第二过孔内壁上、所述第一过孔内壁上和所述导电补偿块上形成第二透明电极层，所述第二透明电极层通过所述导电补偿块与所述源漏极层电连接。