[发明专利]一种用于flash存储数据的方法及装置有效
申请号: | 201310522343.X | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN103559140A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 刘炳伟 | 申请(专利权)人: | 深圳创维数字技术股份有限公司;深圳市创维软件有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F3/06 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 flash 存储 数据 方法 装置 | ||
1.一种用于flash存储数据的方法,其特征在于,所述方法包括:
获取应用层程序传递的目标存储数据的存储参数信息以及读取其他程序获取到的数据处理参数信息,所述目标存储数据的存储参数信息包括所述目标存储数据的逻辑地址,所述数据处理参数信息包括所述目标存储数据中独立模块的最大值以及flash存储空间的烧写次数;
根据读取到的所述目标存储数据中独立模块的最大值以及所述flash存储空间的烧写次数,计算flash存储空间的更新的偏移地址区间长度;
根据获取到的所述应用层程序传递的所述目标存储数据的逻辑地址和计算得到的所述flash存储空间的更新的偏移地址区间长度,计算所述目标存储数据在所述flash存储空间的存储地址区域;
根据计算得到的所述目标存储数据在所述flash存储空间的存储地址区域,将所述目标存储数据存储在相应的所述flash存储空间的存储地址区域。
2.如权利要求1所述的用于flash存储数据的方法,其特征在于,所述根据读取到的所述目标存储数据中独立模块的最大值以及所述flash存储空间的烧写次数,计算flash存储空间的更新的偏移地址区间长度包括:
计算所述目标存储数据中独立模块的最大值和所述flash烧写次数的乘积作为所述flash存储空间的更新的偏移地址区间长度。
3.如权利要求1所述的用于flash存储数据的方法,其特征在于,所述目标存储数据的存储参数信息还包括所述目标存储数据的长度,所述根据获取到的所述应用层程序传递的所述目标存储数据的逻辑地址和计算得到的所述flash存储空间的更新的偏移地址区间长度,计算所述目标存储数据在所述flash存储空间的存储地址区域包括:
根据获取到的所述应用层程序传递所述目标存储数据的逻辑地址和计算得到的所述flash存储空间的更新的偏移地址区间长度,计算所述目标存储数据在所述flash存储空间的起始物理地址;
根据获取到的所述应用层程序传递的所述目标存储数据的长度和逻辑地址以及计算得到的所述flash存储空间的更新的偏移地址区间长度,计算所述目标存储数据在所述flash存储空间的终止物理地址。
4.如权利要求3所述的用于flash存储数据的方法,其特征在于,所述根据计算得到的所述目标存储数据在所述flash存储空间的存储地址区域,将所述目标存储数据存储在相应的所述flash存储空间的存储地址区域包括:
若计算得到的所述起始物理地址大于所述终止物理地址,则将所述目标存储数据分别存储在所述flash存储空间的所述起始物理地址到所述flash存储空间的末地址的存储地址区域和所述flash存储空间的首地址到所述终止物理地址的存储地址区域。
5.如权利要求2所述的用于flash存储数据的方法,其特征在于,所述数据处理参数信息还包括flash存储空间的整体区间长度,所述根据读取到的所述目标存储数据中独立模块的最大值以及所述flash存储空间的烧写次数,计算flash存储空间的更新的偏移地址区间长度还包括:
若计算得到的所述flash存储空间的更新的偏移地址区间长度大于获取到的所述flash存储空间的整体区间长度,则将所述flash存储空间的烧写次数变更为1。
6.一种用于flash存储数据的装置,其特征在于,所述装置包括:
参数信息获取模块,用于获取应用层程序传递的目标存储数据的存储参数信息以及读取其他程序获取到的数据处理参数信息,所述目标存储数据的存储参数信息包括所述目标存储数据的逻辑地址,所述数据处理参数信息包括所述目标存储数据中独立模块的最大值以及flash存储空间的烧写次数;
偏移地址计算模块,用于根据读取到的所述目标存储数据中独立模块的最大值以及所述flash存储空间的烧写次数,计算flash存储空间的更新的偏移地址区间长度;
存储地址计算模块,用于根据获取到的所述应用层程序传递的所述目标存储数据的逻辑地址和计算得到的所述flash存储空间的更新的偏移地址区间长度,计算所述目标存储数据在所述flash存储空间的存储地址区域;
目标数据存储模块,用于根据计算得到的所述目标存储数据在所述flash存储空间的存储地址区域,将所述目标存储数据存储在相应的所述flash存储空间的存储地址区域。
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