[发明专利]超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法有效
| 申请号： | 201310522892.7 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104550132A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 刘国勇;李斌生;张英男;丁超;钟鑫生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超深孔 等离子 刻蚀 工艺 关键 尺寸 一致性 控制 方法 | ||
1.一种超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，其特征在于，包括：在超深孔等离子刻蚀工艺之后的反应腔室中通入混合气体，所述混合气体包括：氮气、氢气及含氟气体；对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺。
2.如权利要求1所述的超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，其特征在于，所述混合气体还包括氧气。
3.如权利要求1所述的超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，其特征在于，所述含氟气体包括CF4或者CHF3中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，其特征在于，在反应腔室中通入混合气体之前，在反应腔室中的下电极上放置一起阻挡作用的晶圆。
5.如权利要求1～4中任一项所述的超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，其特征在于，对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺之后，所述反应腔室中发生如下反应：氮气和氢气还原反应腔室壁上的铜层；含氟气体与还原得到的铜离子反应，并形成携带有铜离子的气体。
6.如权利要求5所述的超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，其特征在于，携带有铜离子的气体作为废气排除出反应腔室。
7.如权利要求1～4中任一项所述的超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，其特征在于，所述等离子体工艺的工艺条件为：
压强：20mTorr～200mTorr；
温度：20℃～70℃。
8.如权利要求7所述的超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，其特征在于，所述氮气的流量为20sccm～1000sccm；所述氢气的流量为20sccm～1000sccm；所述含氟气体的流量为20sccm～2000sccm。
9.如权利要求8所述的超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，其特征在于，对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺的工艺时间为30秒～10分钟。
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