[发明专利]水浴槽加热控制电路

权利要求书

1.一种水浴槽加热控制电路，其特征在于：包括稳压电路（1），其输出端分别与PWM驱动电路（5）、减法电路（4）和基准电压电路（3）的输入端相连，基准电压电路（3）、低电压给定电路（2）的输出端均与减法电路（4）的输入端相连，减法电路（4）的输出端与PWM驱动电路（5）的输入端相连，PWM驱动电路（5）的输出端与双向可控硅输出电路（6）的输入端相连。

2.根据权利要求1所述的水浴槽加热控制电路，其特征在于：所述PWM驱动电路（5）由过零检测电路（5a）、电压比较电路（5c）和三角波发生电路（5b）组成，过零检测电路（5a）的输出端与三角波发生电路（5b）的输入端相连，所述稳压电路（1）的输出端分别与电压比较电路（5c）、三角波发生电路（5b）的输入端相连，三角波发生电路（5b）、减法电路（4）的输出端均与电压比较电路（5c）的输入端相连，电压比较电路（5c）的输出端与双向可控硅输出电路（6）的输入端相连。

3.根据权利要求2所述的水浴槽加热控制电路，其特征在于：所述双向可控硅输出电路（6）由供电电路（6a）、控制电路（6b）、输出电路（6c）和保护电路（6d）组成，供电电路（6a）向控制电路（6b）供电，控制电路（6b）、保护电路（6d）的输出端均与输出电路（6c）的输入端相连，所述电压比较电路（5c）的输出端与控制电路（6b）的输入端相连。

4.根据权利要求3所述的水浴槽加热控制电路，其特征在于：所述稳压电路（1）包括第一三端稳压器芯片7809，其输入端接桥硅芯片B3的第2引脚，其输出端接电源VCC，其接地端接地且与电容C6的一端相连，电容C6的另一端接桥硅芯片B3的第2引脚，桥硅芯片B3的第2引脚通过电容C6接运放U3D的正相输入端，电解电容C7并接在电容C6上，运放U3D的反相输入端与其输出端相连，运放U3D的输出端通过电阻R10与第一三端稳压器芯片7809的接地端相连，电解电容C8、电容C9并联后跨接在第一三端稳压器芯片7809的输出端和接地端之间，桥硅芯片B3的第1、3引脚与变压器T1的第一次级线圈N2的两端相连。

5.根据权利要求4所述的水浴槽加热控制电路，其特征在于：所述低电压给定电路（2）包括电阻R19，电阻R19与电容C11并联，电容C11跨接在芯片J2的第1、2引脚之间；所述基准电压电路（3）包括电阻R14，电阻R14的一端与电阻R19相连，电阻R14的另一端与电位器W1的一端相连；所述减法电路（4）包括运放U3A，其正相输入端与电位器W1的另一端相连，且通过电阻R17接电源VCC，其反相输入端通过电阻R16与电阻R19相连，且通过电阻R13与其输出端相连。

6.根据权利要求5所述的水浴槽加热控制电路，其特征在于：所述过零检测电路（5a）包括电阻R3、R4，电阻R3、R4的一端分别接变压器T1的初级线圈N1的两端，电阻R3的另一端接桥硅芯片B2的第3引脚，电阻R4的另一端接桥硅芯片B2的第1引脚，桥硅芯片B2的第2引脚通过电阻R5与光耦U4的第1引脚相连，桥硅芯片B2的第4引脚与光耦U4的第2引脚相连，光耦U4的第3引脚接第一三端稳压器芯片7809的接地端；所述三角波发生电路（5b）包括运放U3C，其正相输入端接光耦U4的第4引脚，且通过电阻R7接电源VCC，其反相输入端通过电阻R8接电源VCC，其输出端通过电阻R12接三极管Q3的基极，三极管Q3的发射极接地，三极管Q3的集电极与三极管Q4的集电极相连，三极管Q4的发射极通过电阻R15接电源VCC，三极管Q4的基极通过电阻R18与电解电容C10的负极相连，电解电容C10的正极接三极管Q4的集电极；所述电压比较电路（5c）包括运放U3B，其正相输入端接三极管Q3的集电极，其反相输入端接运放U3A的输出端。

7.根据权利要求6所述的水浴槽加热控制电路，其特征在于：所述供电电路（6a）包括桥硅芯片B1，其第1、3引脚分别与变压器T1的第二次级线圈N3的两端相连，其第2、4引脚分别与电容C2的两端相连，电容C2与电解电容C3并联，电解电容C3跨接在第二三端稳压器芯片7809的输出端和接地端之间；所述控制电路（6b）包括三极管Q2，其基极通过电阻R6与光耦U5的第3引脚相连，光耦U5的第2引脚接地，光耦U5的第1引脚通过电阻R11接运放U3B的输出端，三极管Q2的集电极与光耦U5的第4引脚相连；所述保护电路（6d）包括电容C1，电容C1与电阻R1串联；所述输出电路（6c）包括双向可控硅Q1，三极管Q2的发射极通过电阻R2接双向可控硅Q1的控制极，双向可控硅Q1的一端接电容C1，另一端接电阻R1，双向可控硅Q1的两端通过接插件J1的第1、2引脚接电加热盘的输入端。