[发明专利]半导体存储装置及利用半导体存储装置的操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

命令处理块，所述命令处理块被配置成在写入操作中响应于内部命令信号、第一控制信号和第二控制信号而产生电压发生开始信号、第一写入控制信号、第二写入控制信号、读取信号以及操作信号；以及

存储器控制块，所述存储器控制块被配置成响应于所述电压发生开始信号、所述第一写入控制信号、所述第二写入控制信号、所述读取信号以及所述操作信号而将存储数据的存储器块与感测放大器电耦接、或者将预定电压施加至所述存储器块，

其中，在所述写入操作中，所述命令处理块响应于所述内部命令信号而将所述电压发生开始信号使能，当所述电压发生开始信号被使能时，所述存储器控制块开始产生要被供应至所述存储器块的电压，同时所述命令处理块产生被使能预定的时间的所述读取信号，以及在所述读取信号被禁止时响应于所述第一控制信号和第二控制信号来将所述第一写入控制信号和所述第二写入控制信号选择性地使能，并且所述存储器控制块响应于所述第一写入控制信号和所述第二写入控制信号以及所述操作信号来将具有预定的电压电平的电压施加至所述存储器块。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述命令处理块在读取操作中响应于内部命令信号而将所述读取信号和所述操作信号使能。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

在所述读取操作中，所述命令处理块响应于所述内部命令信号而将所述读取信号使能；以及

当所述电压发生开始信号和所述读取信号中的一个被使能时，所述命令处理块将所述操作信号使能。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，当所述读取信号和所述操作信号被使能时，所述存储器控制块将所述存储器块与所述感测放大器电耦接。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，所述存储器控制块包括：

第一开关，所述第一开关被配置成响应于所述操作信号而将所述存储器块与公共节点电耦接；

第二开关，所述第二开关被配置成响应于所述读取信号而将所述公共节点与所述感测放大器电耦接；以及

电压供应单元，所述电压供应单元被配置成响应于所述电压发生开始信号而开始电压产生，并且响应于所述第一写入控制信号和所述第二写入控制信号而将预定的电压施加至所述公共节点。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述电压供应单元包括：

第一存储器电压施加部，所述第一存储器电压施加部被配置成当所述电压发生开始信号被使能时产生用于写入的第一电压，并且响应于所述第一写入控制信号而将与用于写入的所述第一电压的电压电平相对应的第一存储器电压施加至所述公共节点；以及

第二存储器电压施加部，所述第二存储器电压施加部被配置成当所述电压发生开始信号被使能时产生用于写入的第二电压，并且响应于所述第二写入控制信号而将与用于写入的所述第二电压的电压电平相对应的第二存储器电压施加至所述公共节点。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，所述电压发生开始信号在所述写入操作中具有与所述电压发生开始信号的相位大体相同的相位。

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，所述第一存储器电压施加部包括：

用于写入的电压供应部，所述用于写入的所述电压供应部被配置成当所述电压发生开始信号被使能时被激活，并且产生用于写入的所述第一电压；

用于电压产生的晶体管，所述用于电压产生的所述晶体管被配置成产生与用于写入的所述第一电压的电压电平相对应的所述第一存储器电压；以及

第三开关，所述第三开关被配置成响应于所述第一写入控制信号而将所述第一存储器电压施加至所述公共节点。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，用于电压产生的所述晶体管通过其栅极接收用于写入的所述第一电压、通过其源极接收驱动电压、以及通过其漏极输出所述第一存储器电压。