[发明专利]氧化物烧结体及其制造方法、靶、使用该靶得到的透明导电膜以及透明导电性基材

权利要求书

1.一种氧化物烧结体，其特征在于：在含有铟和镓的氧化物烧结体中，方铁锰矿型结构的In₂O₃相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga₂O₃型结构的GaInO₃相、或GaInO₃相和(Ga,In)₂O₃相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，不含有氧化锗相，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子%以上、小于35原子%。

2.根据权利要求1所记载的氧化物烧结体，其特征在于：镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10～25原子%。

3.根据权利要求1或2所记载的氧化物烧结体，其特征在于：下式定义的X射线衍射峰强度比为8%～58%，

I[GaInO₃相(111)]/{I[In₂O₃相(400)]+I[GaInO₃相(111)]}×100[%]

式中，I[In₂O₃相(400)]是方铁锰矿型结构的In₂O₃相的(400)峰强度，I[GaInO₃相(111)]表示β-Ga₂O₃型结构的复合氧化物β-GaInO₃相(111)的峰强度。

4.一种氧化物烧结体，其特征在于：在含有氧化物形式的铟和镓的烧结体中，方铁锰矿型结构的In₂O₃相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga₂O₃型结构的GaInO₃相、或GaInO₃相和(Ga,In)₂O₃相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，不含有氧化锗相，除了铟和镓以外，进一步含有选自锡及/或锗的一种以上的添加成分，镓含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子数比计，为2～30原子%，而且添加成分的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子数比计，为1～11原子%。

5.根据权利要求4所记载的氧化物烧结体，其特征在于：镓含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子数比计为2～20原子%，且选自锡及/或锗的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子数比计，为2～10原子%。

6.根据权利要求4或5所记载的氧化物烧结体，其特征在于：下式定义的X射线衍射峰强度比为4%～84%，

I[GaInO₃相(-111)]/{I[In₂O₃相(400)]+I[GaInO₃相(-111)]}×100[%]

式中，I[In₂O₃相(400)]是方铁锰矿型结构的In₂O₃相的(400)峰强度，I[GaInO₃相(-111)]表示β-Ga₂O₃型结构的复合氧化物β-GaInO₃相(-111)峰强度。

7.权利要求1～6任一项记载的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于：该方法是混合含有氧化铟粉末和氧化镓粉末的原料粉末后，或者在该原料粉末中添加氧化锡粉末和/或氧化锗粉末混合后，将混合粉末成形，通过常压烧制法将成形物烧结，或者通过热压法将混合粉末成形、烧结来制造氧化物烧结体的方法，其中通过使原料粉末的平均粒径为1μm以下而形成氧化物烧结体，该氧化物烧结体中，方铁锰矿型结构的In₂O₃相为主晶相，在主晶相中，由GaInO₃相或由GaInO₃相和(Ga,In)₂O₃相形成的平均粒径为5μm以下的晶粒细微分散。

8.根据权利要求7所记载的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于：采用常压烧制法，在存在氧气的气氛下，将成形体在1250～1450℃下烧结10～30小时。