[发明专利]一种高功率半导体激光器加工系统有效

专利信息
申请号: 201310525018.9 申请日: 2013-10-29
公开(公告)号: CN103521921A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 王敏;刘兴胜;蔡磊;郑艳芳;宋涛 申请(专利权)人: 西安炬光科技有限公司
主分类号: B23K26/14 分类号: B23K26/14;B23K26/12;B23K26/70;H01S5/024
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 胡乐
地址: 710119 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 半导体激光器 加工 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体激光器加工系统(设备)。

背景技术

高功率半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长等优点,已广泛用于激光加工、激光医疗、激光显示及科学研究领域,成为新世纪发展快、成果多、学科渗透广、应用范围大的综合性高新技术。

激光加工主要用于切割、表面处理、焊接、打标和打孔等。激光表面处理包括激光相变硬化、激光熔敷、激光表面合金化和激光表面熔凝等。激光加工技术主要有以下独特的优点:

(1)激光加工过程中无“刀具”磨损,无“切削力”作用于工件;

(2)可以对多种金属、非金属加工,特别是可以加工高硬度、高脆性、及高熔点的材料;

(3)激光束易于导向、聚焦实现作各方向变换,极易与数控系统配合、对复杂工件进行加工,因此它是一种极为灵活的加工方法;

(4)无接触加工,对工件无直接冲击,因此无机械变形,并且高能量激光束的能量及其移动速度均可调,因此可以实现多种加工的目的;

(5)激光加工过程中,激光束能量密度高,加工速度快,并且是局部加工,对非激光照射部位没有或影响极小,因此,其热影响区小,工件热变形小,后续加工量小。

应用于激光加工的激光器主要有CO2激光器、固体激光器,对于CO2激光器、固体激光器做为制成的激光加工设备,其体积大,质量重,不能实现便携式,同时用CO2激光器作为光源的激光加工设备不能实现全自动,导致了加工效率不高。

发明内容

本发明提供一种高功率半导体激光器加工系统。

本发明的技术方案如下:

一种高功率半导体激光器加工系统,包括壳体、半导体激光器光源系统和保护窗口,其中,半导体激光器光源系统固定设置在壳体内,保护窗口固定嵌于壳体的前端头部,保护窗口的中心处于半导体激光器光源系统出光光路的光轴上;所述半导体激光器光源系统包括半导体激光器光源和光束聚焦模块,光束聚焦模块的夹持机构通过散热块安装固定于壳体的内底面;在壳体内部设置有密封的水冷通道,该水冷通道自进水口至出水口在壳体底部形成环形水路,主要分为进水段、弯折部A、弯折部B以及出水段,其中进水段和出水段分别位于壳体内部两侧平行设置,在散热块与对应位置的壳体的内底面之间,设置有沿光束聚焦模块径向弯折的通道作为所述弯折部A,用于对光束聚焦模块散热;所述弯折部B位于壳体的前端头部环绕保护窗口,用于对保护窗口散热。

基于上述基本方案,本发明还做如下优化限定和改进:

在壳体上还设置有进气口和排气口,使得干燥气体由进气口进入壳体内腔扫过半导体激光器光源和光束聚焦模块后由排气口自然排出。

在壳体的前端头部外侧设置有喷气装置,喷气装置的喷气管口斜向设置。

上述保护窗口的主体为双层平板结构,材质为石英玻璃,两层之间填充真空。

上述保护窗口与半导体激光器光源系统出光端保持3-5mm的间隙。

本发明具有以下优点:

本发明的高功率半导体激光加工系统体积小,质量轻,散热效果好。

本发明在光学整形模块下方的壳体部分设置蓄水槽,可以将光学整形模块的热量很好的导出,同时本发明设置吹起保护,防止高功率半导体激光加工系统内部产生多余水分后冷凝,使得半导体激光器系统的可靠性更好。

保护窗口的主体为双层平板结构,两层之间填充真空,使得半导体激光加工系统内部的半导体激光器光源及光学整形模块不易受外界环境干扰;加工过程中飞溅物不易进入内部污染内部环境;同时保护窗口的主体为双层平板结构,两层之间填充真空,若外层保护窗损坏,可及时更换而不影响半导体激光加工系统内部。

附图说明

图1为本发明的内部结构示意图(俯视方向)。

图2为保护窗口处的剖视示意图。

图3为一种吹气干燥的示意图。

图4为另一种吹气干燥的示意图。

图5本发明的一个实物样件剖视图。

附图标号说明:

1-半导体激光器光源系统;2-壳体;3-保护窗口;4-进水段;5-出水段;6-光束聚焦模块;7-蓄水部A(光束聚焦模块处的水路);8-弯折部B(保护窗口处的水路)。

具体实施方式

如图1所示,本发明的高功率半导体激光器加工系统,包括壳体,半导体激光器光源系统1,保护窗口3以及散热系统。

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