[发明专利]充放电控制电路以及充放电控制方法有效

专利信息
申请号: 201310526138.0 申请日: 2013-10-30
公开(公告)号: CN104037822A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 武田贵志 申请(专利权)人: 三美电机株式会社
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 曾贤伟;范胜杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 放电 控制电路 以及 控制 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及进行二次电池的充放电控制的充放电控制电路以及充放电控制方法。

背景技术

近年来,作为二次电池,有锂离子电池搭载于数字照相机等便携设备。锂离子电池由于对过充电电压以及过放电电压耐性差,因此,以具有过充电电压以及过放电电压的保护电路即充放电控制电路的电池组的形态进行使用。

将保护电路进行半导体集成电路化而得到的保护IC内置有过充电电压检测电路,过放电电压检测电路,充电过电流检测电路以及放电过电流检测电路等,在通过过放电电压检测电路或者放电过电流检测电路检测出过放电电压或者放电过电流时,切断放电停止用MOS晶体管,停止锂离子电池的放电,另外,在通过过充电电压检测电路或者充电过电流检测电路检测出过充电电压或者充电过电流时,切断充电停止用MOS晶体管来停止锂离子电池的充电。

上述的过充电电压检测电路、过放电电压检测电路、过电流检测电路中,分别对检测时间进行计时,在检测时间超过分别设定的延迟时间(预定时间)的情况下,确定为测出过充电电压、测出过放电电压、测出充电过电流、测出放电过电流,切断MOS晶体管,由此防止了误动作。即,在确定测出过充电电压、测出过放电电压、测出充电过电流、测出放电过电流之前,需要预定时间。

但是,当在制造时进行保护IC的测试的情况下,由于上述测出过充电电压、测出过放电电压、测出过电流分别需要延迟时间,因此存在测试时间变长的问题。因此,测试时对保护IC设定时间缩短模式,缩短(或取消)上述延迟时间缩短。

另外,提出了这样构成的技术:在充放电控制电路的电源端子与电源检测端子间设置对施加了规定以上的电压这一情况进行检测的电压检测电路,基于电压检测电路的检测信号而缩短内部控制电路的延迟时间(例如参照专利文献1)。

【现有技术文献】

专利文献1:日本特开2007-195303号公报

以往的保护IC中,设置测试模式端子(时间缩短模式端子),将测试模式端子的输入电平设定为高电平(VDD)和低电平(VSS)中的某一个,由此设定了通常的延迟时间的通常模式和延迟时间缩短模式(时间缩短模式)。但是,该情况下,需要追加模式端子,相应地会产生成本上涨。

另外,在其他以往的保护IC中,有的保护IC例如设定比通常供给到电源端子的电源电压VDD高的阈值VTH,将电源端子的电压比阈值VTH高的期间作为缩短延迟时间的时间缩短模式,将电源端子的电压比阈值VTH低的情况作为通常的延迟时间的通常模式。该情况下,无需追加模式端子,但是在电源端子的电压超过比电源电压VDD高的阈值VTH的期间,锂离子电池为过充电电压状态。因此,存在即使设定了延迟时间缩短模式也无法测试过充电电压检测电路的功能的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述的问题点而完成的,其目的在于提供一种充放电控制电路以及充放电控制方法,其能够抑制为了设定时间缩短模式而导致端子增加,在设定了时间缩短模式的情况下能够进行各检测功能的测试。

本发明的一实施方式的充放电控制电路是进行二次电池(11)的充放电控制的充放电控制电路,

所述充放电控制电路具有:

VDD端子(10a),其被从所述二次电池供给电源;

过电流检测端子(10c),其用于检测所述二次电池的过电流;

异常检测部(21~25),其设定了用于检测过充电、过放电以及过电流的预定的延迟时间;以及

模式控制部(27),其控制多个动作模式,

所述模式控制部对通常模式(MD4)、时间缩短模式(MD1、MD2)和保护模式(MD3、MD5、MD6、MD7、MD8)进行管理,在所述通常模式(MD4),对所述VDD端子与所述过电流检测端子的电压进行监视,在所述时间缩短模式(MD1、MD2),缩短了所述异常检测部中的用于检测所述过充电、所述过放电、以及所述过电流的预定的延迟时间,在所述保护模式(MD3、MD5、MD6、MD7、MD8),当在所述通常模式通过所述异常检测部检测出异常时输出使充电电流或放电电流停止的信号,

当所述VDD端子的电压超过第1预定值时,从所述通常模式迁移到所述时间缩短模式,

无论检测到所述过放电以及所述过电流中的哪一个,都从所述时间缩短模式迁移到所述保护模式所述保护模式具有在所述预定的延迟时间检测出过充电的过充电保护模式(MD3),

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