[发明专利]显示装置、制造该显示装置的方法和电子设备在审

专利信息
申请号: 201310526684.4 申请日: 2013-10-30
公开(公告)号: CN103824542A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 甚田诚一郎 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;褚海英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 制造 方法 电子设备
【说明书】:

相关申请的交叉参考

本申请主张享有于2012年11月19日提交的日本优先权专利申请JP2012-253065的权益,因此将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及具有电流驱动型显示元件的显示装置、制造所述显示装置的方法和含有所述显示装置的电子设备。

背景技术

近年来,在显示图像的显示装置的领域中,开发出了使用发光亮度根据所流过的电流值而变化的电流驱动型光学元件(例如,使用有机EL(电致发光)元件)作为发光元件的显示装置(有机EL显示装置),且其商品化正在进展中。与液晶元件不同,发光元件是自发光元件,且因此不需要背光(backlight)。于是,与必须有背光的液晶显示装置相比,有机EL显示装置具有图像视认度高、电力消耗低和元件响应速度快的特点。

不仅在固定型电视接收器中而且在诸如智能手机等移动终端中,都渴望在显示装置中显示出高清晰度图像。鉴于以上所述,为了提高显示装置的分辨率,开发了各种技术。例如,在日本待审查专利申请公开案第2008-83084中,公开了如下的显示装置:其中,在具有呈所谓5Trl C配置的子像素的有机EL显示装置中,在水平方向上相邻的红(R)、绿(G)和蓝(B)三个子像素共用一开关晶体管(电源晶体管)。在这个显示装置中,三个子像素如上所述共用了电源晶体管以减少元件的数量和提高分辨率。

发明内容

如上所述,在显示装置中,渴望显示出高清晰度图像且期望提高分辨率。

本发明期望提供均能够提高分辨率的一种显示装置、一种制造所述显示装置的方法和一种电子设备。

根据本发明实施例的显示装置,其包括:多个单位像素,所述多个单位像素均包括显示元件和向所述显示元件提供驱动电流的驱动晶体管,所述多个单位像素被排列成沿第一方向而被扫描和驱动;以及单条电源线,所述单条电源线在与所述第一方向相交的第二方向上延伸,这里所设置的所述单条电源线是针对单位像素对分配的,所述单位像素对是所述多个单位像素中的在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素。

根据本发明实施例的制造显示装置的方法,其包括:在基板上形成晶体管的步骤,在该步骤中,由离子注入装置进行扫描的第一方向与由准分子激光退火装置进行扫描的第二方向相交;以及形成显示元件的步骤。

根据本发明实施例的电子设备,其设置有显示装置和控制部,所述控制部被构造用于进行对所述显示装置的操作控制。所述显示装置包括:多个单位像素,所述多个单位像素均包括显示元件和向所述显示元件提供驱动电流的驱动晶体管,这里所述多个单位像素被排列成沿第一方向而被扫描和驱动;以及单条电源线,所述单条电源线在与所述第一方向相交的第二方向上延伸,这里所设置的所述单条电源线是针对单位像素对分配的,所述单位像素对是所述多个单位像素中的在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素。

所述电子设备的一些示例可以包括TV设备、数码相机、个人电脑、摄像机和诸如移动电话等便携式终端设备。

在根据本发明上述各个实施例的所述显示装置、制造所述显示装置的方法和所述电子设备中,所述多个单位像素是沿所述第一方向而被扫描和驱动的。所设置的所述单条电源线是针对所述单位像素对被分配的,所述单位像素对是所述多个单位像素中的在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素。

根据本发明上述各个实施例的所述显示装置、制造所述显示装置的方法和所述电子设备,所设置的所述单条电源线是针对所述单位像素对而被分配的,所述单位像素对是在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素。因此,能够提高分辨率。

应理解,前面的一般性说明和下面的详细说明都是示例的,且意在为本发明要求保护的技术提供进一步的解释。

附图说明

这里所包括的附图提供了对本发明的进一步理解,这些附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例,并且与本说明书一起用来解释本发明的原理。

图1是图示了根据参考示例的显示装置的一个配置示例的方框图。

图2是图示了在图1所示的显示部中的电路配置示例的电路图。

图3是图示了在图1所示的显示部中的子像素的电路配置示例的电路图。

图4是图示了在图1所示的显示部中的晶体管的一个配置示例的解释图。

图5是图示了图3所示的发光元件的布置的解释图。

图6是图示了图3所示的发光元件的配置的示意图。

图7是图示了图3所示的发光元件的要部的横断面结构的横断面图。

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