[发明专利]多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法有效
| 申请号： | 201310526886.9 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103570024A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王登科;姜大川;谭毅 | 申请（专利权）人： | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266234 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 电子束 熔炼 过程 减少 飞溅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法，包括备料、抽真空、预处理和熔炼，其特征在于在预处理之后，继续进行下述步骤：
（1）调节电子束束流，加热使硅料开始熔化；
（2）调节电子束束斑沿着坩埚内壁上沿向坩埚圆心做螺旋移动，电子束束斑运动到坩埚圆心后，做反向螺旋移动至坩埚内壁上沿；重复上述螺旋移动；
（3）电子束束斑运动结束后，进行电子束熔炼。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法，其特征在于所述步骤（1）中电子束束流调节至100～180mA。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法，其特征在于所述步骤（1）中保证电子束辐照下的硅料表面温度为1420～1500℃后再开始加热。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法，其特征在于所述步骤（2）中坩埚为水冷铜坩埚。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法，其特征在于所述步骤（2）中电子束束斑移动速度为5～25mm/s。
6.根据权利要求1所述的一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法，其特征在于所述步骤（3）中电子束束斑运动的时间为5～15min。
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