[发明专利]一种去除黑蜡、松香和石蜡混合物的半导体硅片清洗剂及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及清洗剂领域，尤其涉及一种去除黑蜡、松香和石蜡混合物的半导体硅片清洗剂及其制备方法。

背景技术

硅片清洗剂广泛应用于光伏，电子等行业硅片清洗；由于硅片在运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷进”，会引起外延缺陷；再去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面钝化。

目前多数硅片清洗剂采用RAC清洗中的一号液和三号液，但是一号液显碱性，可能会造成硅表面粗糙，要严格控制温度、浓度和时间；三号液显酸性，有强腐蚀性，对人体健康也不利，生产成本高，有刺激性气味，污染环境，因此需要进一步改进配方，以达到清洁彻底、无污染、腐蚀小、对人体健康、电路安全、降低成本的目的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种去除黑蜡、松香和石蜡混合物的半导体硅片清洗剂及其制备方法，该清洗剂具有清洁彻底、清洁速度快的优点。

本发明的技术方案如下：

一种去除黑蜡、松香和石蜡混合物的半导体硅片清洗剂，其特征在于由下列重量份的原料制成：壬基酚聚氧乙烯醚2-3、脂肪醇聚氧乙烯醚3-4、十二烷基醇酰胺磷酸脂钠1-2、三聚磷酸钠2-3、十二烷基酚聚氧乙烯醚5-6、十二烷基苯磺酸钠2-3、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120；

所述助剂由下列重量份的原料制成：硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1-2、植酸1-2、吗啉3-4、甲基丙烯酸-2- 羟基乙酯3-4、乙醇12-15；制备方法是将硅烷偶联剂KH-570 、植酸、乙醇混合，加热至60-70℃，搅拌20-30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80-85℃，搅拌30-40分钟，即得。

所述去除黑蜡、松香和石蜡混合物的半导体硅片清洗剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤：将去离子水、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、十二烷基醇酰胺磷酸脂钠、三聚磷酸钠、十二烷基酚聚氧乙烯醚、十二烷基苯磺酸钠、乙醇混合，在1000-1200转/分搅拌下，以6-8℃/分的速率加热到60-70℃，加入其他剩余成分，继续搅拌15-20分钟，即得。

本发明的有益效果

本发明的清洗剂主要使用非离子等多种表面活性剂，与水形成乳液，对黑蜡、石蜡、松香、脂类等有优异的溶解能力，对无机物颗粒、金属离子等也具有优异的清洗能力，清洗效果好；该清洗剂无毒无腐蚀性,不污染环境,并可降低清洗成本。本发明的助剂能够在电路板表面形成保护膜，隔绝空气，防止大气中水及其他分子腐蚀电路板，抗氧化，方便下一步制作工艺进行。

具体实施方式

一种去除黑蜡、松香和石蜡混合物的半导体硅片清洗剂，由下列重量份（公斤）的原料制成：壬基酚聚氧乙烯醚2.5、脂肪醇聚氧乙烯醚3.5、十二烷基醇酰胺磷酸脂钠1.5、三聚磷酸钠2.5、十二烷基酚聚氧乙烯醚6、十二烷基苯磺酸钠2.5、乙醇36、助剂4.5、去离子水110；

所述助剂由下列重量份（公斤）的原料制成：硅烷偶联剂KH-570 2.5、抗氧剂1035 1.5、植酸1.5、吗啉3.5、甲基丙烯酸-2- 羟基乙酯3.5、乙醇14；制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合，加热至65℃，搅拌25分钟后，再加入其它剩余成分，升温至84℃，搅拌34分钟，即得。

所述去除黑蜡、松香和石蜡混合物的半导体硅片清洗剂的制备方法，包括以下步骤：将去离子水、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、十二烷基醇酰胺磷酸脂钠、三聚磷酸钠、十二烷基酚聚氧乙烯醚、十二烷基苯磺酸钠、乙醇混合，在1100转/分搅拌下，以7℃/分的速率加热到65℃，加入其他剩余成分，继续搅拌17分钟，即得。

该去除黑蜡、松香和石蜡混合物的半导体硅片清洗剂用于清洗硅片，洗净率为99.3%，对洗净硅片表面不会残留不溶物，不产生新污染，不影响产品的质量，洗净后的硅片表面干净，色泽一致，无花斑。