[发明专利]一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种废弃物利用方法，具体涉及一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法。

背景技术

 随着我国电子工业年增长率的不断提高，带动了印刷电路板及相关产业发展，我国已成为世界最大的印刷电路板生产中心。印刷电路板蚀刻过程产生大量的含铜 蚀刻废液，不进行处理会引起环境污染并造成资源浪费， 目前我国平均日产蚀刻废液在数千吨以上，如果能将其中的铜回收，将产生极大的经济效益。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法。

本发明所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本发明是一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法，其特点是：将酸性蚀刻废液加水稀释至铜离子浓度为10-20克/升，加入葡萄糖，葡萄糖与铜离子摩尔比为1:1.5，置于80℃的恒温水浴中，搅拌，同时加入氢氧化钠溶液。反应1-2小时后过滤，用无水乙醇洗涤，将滤饼置于50-70℃的真空干燥箱中干燥1-2小时，即制得微米级氧化铜。

与现有技术相比，本发明方法设计合理，它不仅可将酸性蚀刻废液得到进一步利用，还能制备高价值的的铜元素。

具体实施方式

以下进一步描述本发明的具体技术方案，以便于本领域的技术人员进一步地理解本发明，而不构成对其权利的限制。

实施例1，一种利用氯化铜蚀刻废液制备微米级氧化铜的方法，将酸性蚀刻废液加水稀释至铜离子浓度为10-20克/升，加入葡萄糖，葡萄糖与铜离子摩尔比为1:1.5，置于80℃的恒温水浴中，搅拌，同时加入氢氧化钠溶液。反应1-2小时后过滤，用无水乙醇洗涤，将滤饼置于50-70℃的真空干燥箱中干燥1-2小时，即制得微米级氧化铜。