[发明专利]温度控制电路

权利要求书

1.一种温度控制电路，包括温度侦测电路、信号处理电路及加热电路，所述温度侦测电路侦测一电子设备的内部温度，并根据侦测到的温度输出相应的电压信号，所述信号处理电路包括第一输出端及第二输出端，所述信号处理电路接收该电压信号，并根据该电压信号通过该第一输出端控制该电子设备开启或处于待机状态，并通过该第二输出端控制该加热电路处于加热状态或停止加热，以控制该电子设备的内部温度。

2.如权利要求1所述的温度控制电路，其特征在于：当所述电子设备未开机且内部温度达到一预设温度之前，该信号处理电路通过第一输出端控制电子设备一直处于待机状态，通过第二输出端控制该加热电路处于加热状态；当所述电子设备的内部温度达到所述预设温度时，所述信号处理电路通过第一输出端控制电子设备开启，并通过该第二输出端控制该加热电路停止加热；当所述电子设备开启后且所述电子设备的内部温度低于所述预设温度时，所述信号处理电路通过该第二输出端控制所述加热电路开始加热，以提高该电子设备的内部温度。

3.如权利要求1所述的温度控制电路，其特征在于：该温度侦测电路包括热敏电阻及分压电阻，该热敏电阻的一端通过该分压电阻连接至一待机电源，另一端接地。

4.如权利要求1所述的温度控制电路，其特征在于：热敏电阻为一负温度系数的热敏电阻，该待机电源为当所述电子设备处于关机或者待机状态时仍有效对该温度控制电路进行供电的电源。

5.如权利要求3所述的温度控制电路，其特征在于：所述信号处理电路还包括系统电源、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻，该第一晶体管的栅极连接至该分压电阻与热敏电阻之间，该第一晶体管的漏极通过该第一电阻连接至该待机电源，该第二晶体管的栅极连接至该第一晶体管的漏极，该第二晶体管的漏极通过该第二电阻连接至该待机电源，该第三晶体管的栅极连接至该第二晶体管的漏极，该第三晶体管的漏极通过该第三电阻连接至该待机电源，第四晶体管的栅极通过第四电阻连接至该系统电源，该第四晶体管的漏极连接至所述第三晶体管的栅极，该第一至第四晶体管的源极均接地，该第一输出端连接至该第三晶体管的漏极，该第二输出端连接至第一晶体管的漏极。

6.如权利要求5所述的温度控制电路，其特征在于：所述第一至第四晶体管均为N沟道增强型的场效应管，所述系统电源为随电子设备正常开机后开始工作的电源。

7.如权利要求2所述的温度控制电路，其特征在于：该加热电路包括第一加热电路，该第一加热电路包括第五晶体管及第一加热器，该第五晶体管的源极连接至待机电源，该第五晶体管的漏极通过所述第一加热器接地，该第五晶体管的栅极连接至该第二输出端。

8.如权利要求7所述的温度控制电路，其特征在于：该第五晶体管为P沟道增强型的场效应管。

9.如权利要求7所述的温度控制电路，其特征在于：所述加热电路还包括第二加热电路，所述第二加热电路连接至所述第一输出端及第二输出端，用以当所述电子设备为待机状态且内部温度达到该预设温度之前处于加热状态，而当所述电子设备正常开机后停止加热。

10.如权利要求9所述的温度控制电路，其特征在于：所述第二加热电路包括第六晶体管、第七晶体管及第二加热器，该第六晶体管及第七晶体管均为P沟道增强型的场效应管，该第六晶体管的栅极连接至该第一输出端，该第六晶体管的源极连接至该待机电源，该第六晶体管的漏极连接至该第七晶体管的源极，该第七晶体管的栅极连接至该第二输出端，该第七晶体管的漏极通过所述第二加热器接地。