[发明专利]数字式存储半导体管特性图示仪测试系统

权利要求书

1.一种数字式存储半导体管特性图示仪测试系统，其特征在于，包括集电极/漏极电源发生单元、基极/栅极电流电压发生单元、电压/电流数据采集存储单元、偏置电压/电流产生单元、FPGA可编程逻辑控制单元、嵌入式监控系统、电源电路单元，FPGA可编程逻辑控制单元分别与集电极/漏极电源发生单元、基极/栅极电流电压发生单元、电压/电流数据采集存储单元、偏置电压/电流产生单元、嵌入式监控系统、电源电路单元电连接，集电极/漏极电源发生单元、基极/栅极电流电压发生单元、电压/电流数据采集存储单元分别连接被测器件。

2.根据权利要求1所述的数字式存储半导体管特性图示仪测试系统，其特征在于，集电极/漏极电源发生单元对被测器件提供集电极或漏极电源，系统设置两个集电极/漏极电源发生器：一个是50W高压集电极/漏极电源发生器，另一个是峰值功率2kW低压集电极/漏极电源发生器；其中，50W高压集电极/漏极电源发生器由高性能FPGA合成正弦平方波形信号，经变压器升压供给被测件;峰值功率2kW的低压集电极电源仍由高性能FPGA合成三角波信号，由能量存储功能的功率驱动电路给被测件提供大电流脉冲。

3.根据权利要求1所述的数字式存储半导体管特性图示仪测试系统，其特征在于，基极/栅极电流电压及偏置电压/电流发生单元是对被测件提供基极电流或栅极电压，具有能量存储电路；偏置电压/电流产生单元对场效应管产生偏置电压，对双极性管产生偏置电流。

4.根据权利要求1所述的数字式存储半导体管特性图示仪测试系统，其特征在于，电压/电流数据采集存储单元包括电压取样电路、电流取样电路、转换电路、电压A/D模块、电流A/D模块、存储器，同步测量集电极电压与集电极电流，并将测量结果分别写入电压和电流的相应存储器地址单元。

5.根据权利要求1所述的数字式存储半导体管特性图示仪测试系统，其特征在于，FPGA可编程逻辑控制单元为集电极/漏极电源发生单元，基极/栅极电流电压发生单元、偏置电压/电流产生单元、电压和电流数据采集单元提供逻辑控制时序，为各单元提供可编程的逻辑控制，FPGA可编程逻辑控制单元包括占空比可编程的时序信号发生器，用于基极阶梯信号生成的可预置数计数器，用于集电极信号生成的可预置数加减计数器，以及用于存储高精度A/D转换结果的FIFO存储器。

6.根据权利要求1所述的数字式存储半导体管特性图示仪测试系统，其特征在于，嵌入式监控系统由控制面板、显示器、RS232、USB接口组成嵌入式计算机系统，由此来完成系统控制、数据采集与处理、参数测量、曲线图形显示、存储、调出、按键处理和程控通信工作，控制面板为系统提供人机交互的平台，根据面板操作，实现放大器增益的选择、集电极功耗电阻选择、采样电阻选择功能。