[发明专利]通过锡和锌共掺杂制备低铟含量氧化铟锡薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310528453.7 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103526173A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郭新立;贵宾华;黄瑛;刘建双 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 掺杂 制备 含量 氧化 薄膜 方法 | ||
1.一种通过锡和锌共掺杂制备低铟含量氧化铟锡薄膜的方法，其特征在于：低铟含量氧化铟锡ITO薄膜采用磁控溅射技术制备，所用的靶材为掺Sn量为4-10%wt的ITO陶瓷靶，在其上覆盖直径为1-3cm，厚度为0.3-0.5cm，纯度为99.0-99.99%wt的ZnO陶瓷靶材，在玻璃衬底上制备出低铟含量的高质量ITO透明导电薄膜；锡和锌掺杂量为10%-25%wt，沿（400）面择优取向、膜厚均匀为1300-1800nm，薄膜电阻率为2-9×10-3Ω.cm，透光率>90%；In含量为75%-90%wt。
2.根据权利要求1所述的通过锡和锌共掺杂制备低铟含量氧化铟锡薄膜的方法，其特征在于,该方法主要包含2个步骤:
a.ITO和ZnO复合靶材的设计：在ITO陶瓷靶上覆盖直径为1-3cm,厚度为0.3-0.5cm ZnO陶瓷靶，ZnO的掺入量通过放置在ITO靶材上ZnO靶的数量和覆盖面积来控制；
b.高掺杂低铟含量ＩＴＯ薄膜的制备：采用磁控溅射技术，本底气压1-7×10-4Pa；氧分压1-3×10-2Pa,溅射气压0.1-1Pa；溅射功率100-150w；加热温度380-420℃；溅射时间20-30mins；溅射偏压40-50v,样品的退火工艺为：氧气和氩气混合气氛下，380-420℃保温10-20min，再降到180-200℃保温20-30min后空冷至室温。
3.根据权利要求1所述的通过锡和锌共掺杂制备低铟含量氧化铟锡薄膜的方法，其特征在于所用的衬底除了玻璃之外，还包括硅、石英和三氧化二铝衬底。
4.根据权利要求1所述的通过锡和锌共掺杂制备低铟含量氧化铟锡薄膜的方法，其特征在于所用ITO靶材中Sn含量为4%-10%wt。
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