[发明专利]光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备有效
申请号: | 201310528746.5 | 申请日: | 2013-10-30 |
公开(公告)号: | CN103811517B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 宇高融;榎修;村田昌树;森本类;新井龙志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 固体 摄像 装置 以及 电子设备 | ||
1.一种光电转换元件,其特征在于,
具备:
有机光电转换膜;
第一电极及第二电极,夹着所述有机光电转换膜而设置;以及
电荷阻挡层,设于所述第二电极与所述有机光电转换膜之间,
所述电荷阻挡层具有:
功函数调整层,包含用于调整所述有机光电转换膜的所述第二电极侧的功函数的金属元素;以及
第一扩散抑制层,设于所述功函数调整层与所述第二电极之间、抑制所述金属元素向所述第二电极侧扩散,
所述第一扩散抑制层由不包含氧元素(O)的无氧有机分子构成,
所述电荷阻挡层还具有第二扩散抑制层,所述第二扩散抑制层位于所述功函数调整层的所述有机光电转换膜侧,由不含有氧元素(O)的无氧有机分子构成,
所述无氧有机分子是菲罗啉衍生物、红荧烯衍生物、蒽衍生物、三嗪衍生物、苝衍生物及四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)衍生物中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,
所述电荷阻挡层还具有第三扩散抑制层,所述第三扩散抑制层位于所述功函数调整层和所述第一扩散抑制层之间,由含有氧元素(O)的含氧有机分子构成。
3.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,
所述第一电极是具有光透射性的导电膜。
4.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,
所述第二电极包含铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、钌(Ru)、钯(Pd)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铂(Pt)及金(Au)中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,
所述第二电极是具有光透射性且功函数与所述第一电极不同的导电膜。
6.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,
所述金属元素是锂(Li)、铍(Be)、钠(Na)、镁(Mg)、钾(K)、钙(Ca)、铷(Rb)、锶(Sr)、铯(Cs)或钡(Ba)。
7.一种固体摄像装置,其特征在于,
具有各自包含光电转换元件的多个像素,
所述光电转换元件具备:
有机光电转换膜;
第一电极及第二电极,夹着所述有机光电转换膜而设置;以及
电荷阻挡层,设于所述第二电极和所述有机光电转换膜之间,
所述电荷阻挡层具有:
功函数调整层,包含用于调整所述有机光电转换膜的所述第二电极侧的功函数的金属元素;以及
第一扩散抑制层,设于所述功函数调整层和所述第二电极之间、抑制所述金属元素向所述第二电极侧扩散,
所述第一扩散抑制层由不包含氧元素(O)的无氧有机分子构成,
所述电荷阻挡层还具有第二扩散抑制层,所述第二扩散抑制层位于所述功函数调整层的所述有机光电转换膜侧,由不含有氧元素(O)的无氧有机分子构成,
所述无氧有机分子是菲罗啉衍生物、红荧烯衍生物、蒽衍生物、三嗪衍生物、苝衍生物及四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)衍生物中的至少一种。
8.一种电子设备,其特征在于,
具备固体摄像装置,
所述固体摄像装置具有各自包含光电转换元件的多个像素,
所述光电转换元件具备:
有机光电转换膜;
第一电极及第二电极,夹着所述有机光电转换膜而设置;以及
电荷阻挡层,设于所述第二电极和所述有机光电转换膜之间,
所述电荷阻挡层具有:
功函数调整层,包含用于调整所述有机光电转换膜的所述第二电极侧的功函数的金属元素;以及
第一扩散抑制层,设于所述功函数调整层和所述第二电极之间、抑制所述金属元素向所述第二电极侧扩散,
所述第一扩散抑制层由不包含氧元素(O)的无氧有机分子构成,
所述电荷阻挡层还具有第二扩散抑制层,所述第二扩散抑制层位于所述功函数调整层的所述有机光电转换膜侧,由不含有氧元素(O)的无氧有机分子构成,
所述无氧有机分子是菲罗啉衍生物、红荧烯衍生物、蒽衍生物、三嗪衍生物、苝衍生物及四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)衍生物中的至少一种。
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