[发明专利]垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法有效
| 申请号： | 201310528766.2 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104037188B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 崔康植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直型半导体器件 柱体结构 数据储存材料 公共源极区 层叠结构 导电层 制造 包围 | ||
1.一种垂直型半导体器件，包括：
柱体结构，所述柱体结构具有导电层和数据储存材料的层叠结构，并且形成在公共源极区上；以及
栅电极，所述栅电极被形成为包围所述柱体结构的所述数据储存材料。
2.如权利要求1所述的垂直型半导体器件，其中，所述数据储存材料包括相变材料。
3.如权利要求1所述的垂直型半导体器件，其中，所述数据储存材料具有晶态相变材料、非晶相变材料以及晶态相变材料的层叠结构。
4.如权利要求1所述的垂直型半导体器件，其中，所述数据储存材料包括钙钛矿或过渡金属氧化物。
5.如权利要求1所述的垂直型半导体器件，其中，所述数据储存材料具有第一阻挡金属层、钙钛矿层以及第二阻挡金属层的层叠结构，或者具有第一阻挡金属层、过渡金属氧化物层以及第二阻挡金属层的层叠结构。
6.如权利要求1所述的垂直型半导体器件，还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层形成在所述柱体结构与所述栅电极之间。
7.如权利要求1所述的垂直型半导体器件，还包括互连层，所述互连层形成在所述数据储存材料上以与所述数据储存材料电连接。
8.如权利要求1所述的垂直型半导体器件，还包括绝缘层，所述绝缘层形成在所述导电层的周缘上。
9.如权利要求1所述的垂直型半导体器件，其中，所述公共源极区包括金属层。
10.如权利要求1所述的垂直型半导体器件，其中，所述栅电极在沿着第一方向形成的单元之间彼此电连接，且栅电极在沿着第二方向形成的单元之间彼此绝缘，所述第二方向不同于所述第一方向。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310528766.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
