[发明专利]一种阵列基板和显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板和显示器件。 

背景技术

为满足大尺寸液晶显示器的发展趋势，在进行TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器）面板的制作过程中一般使用铜（Cu）作为阵列基板的栅线。 

在阵列基板的加工工艺过程中，在基板衬底（一般用玻璃）的表面沉积形成金属薄膜（Cu薄膜），之后还要经过涂光刻胶形成光刻膜，紫外线透过掩膜板照射光刻膜，经过曝光显影得到需要形状的图形，再对基板表面进行刻蚀，形成栅线。再形成绝缘层、半导体薄膜，重复薄膜沉积和刻蚀，形成不同材料不同形状的薄膜。 

在玻璃的表面直接进行金属薄膜的沉积，由于金属Cu和玻璃直接接触时的附着能力较差，影响金属薄膜的沉积效果。另外金属Cu还可能扩散并通过绝缘层，还影响半导体的特性。 

发明内容

（一）要解决的技术问题 

本发明要解决的技术问题是如何增强金属Cu和玻璃之间的附着力，防止金属Cu向绝缘层扩散。 

（二）技术方案 

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括玻璃基板，其特征在于，在所述玻璃基板上设置有第一缓冲层，所述金属薄膜设置在所述第一缓冲层上方，所述第一缓冲层和所述金属薄膜之间还设置有第二缓冲层。 

进一步地，所述第二缓冲层、所述第一缓冲层和所述玻璃基板关 于所述金属薄膜对称设置。 

进一步地，所述第一缓冲层的厚度为

进一步地，所述第二缓冲层的厚度为

进一步地，所述第一缓冲层的材质为钼、钛或钼合金。 

进一步地，所述钼合金为钼钛、钼钽、钼钨中的一种。 

进一步地，所述第二缓冲层的材质为铜合金。 

进一步地，所述铜合金为铜与以下任意一种元素组成的铜二元合金：钼、镁、铝、钽、钨、钙、铌、银、镓或锰。 

进一步地，所述铜合金为铜与以下任意两种元素组成的铜三元合金：钼、镁、铝、钽、钨、钙、铌、银、镓或锰。 

为解决上述问题，本发明也提供了一种显示器件，其中包括权利要求上述的阵列基板。 

（三）有益效果 

本发明实施例的一种阵列基板，包括玻璃基板，在玻璃基板上设置有第一缓冲层，金属薄膜设置在第一缓冲层上方，第一缓冲层和金属薄膜之间还设置有第二缓冲层。通过在金属薄膜和第一缓冲层之间增加设置一层第二缓冲层，加热条件下，利用铜合金中除了铜之外的其他元素会析出到金属表面，退火后形成阻挡铜金属向半导体层扩散的第二缓冲层，避免金属元素的扩散影响半导体的特性，同时也能防止半导体材料中的物质扩散到金属薄膜中，能够增加金属薄膜与玻璃基板的附着能力，还能提高金属薄膜与第一缓冲层的结合能力。本发明还提供了基于上述阵列基板的显示器件。 

附图说明

图1是本发明实施例提供的阵列基板的结构图； 

图2是本发明实施例提供的阵列基板的另一种结构图； 

图3是本实发明实施例提供的铜合金退火前后对比图； 

图4是本发明实施例提供的阵列基板退火前后对比图； 

图5是本发明实施例提供的另一种阵列基板退火前后对比图。 

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。 

目前显示器制作行业内在使用金属Cu做栅线时，通常采用钛（Ti）、钼（Mo）、钼钛合金（MoTi）和其他钼合金等做阵列基板的缓冲层。但是现有技术中的缓冲层只有一层，另外，由于金属薄膜和缓冲层的材料不一样，刻蚀速度不相同，刻蚀所用的总时间多数是在花在腐蚀缓冲层上，缓冲层的刻蚀速率较慢，而金属薄膜的刻蚀速率较快，导致刻蚀后的坡度角很难控制。 

本发明实施例提供了一种阵列基板，如图1所示，阵列基板包括玻璃基板00，其特征在于，在玻璃基板00上设置有第一缓冲层10，金属薄膜30设置在第一缓冲层10上方，第一缓冲层10和金属薄膜30之间还设置有第二缓冲层20。