[发明专利]静电卡盘与基板处理装置

说明书

技术领域

这里公开的本发明涉及一种基板处理装置，并且更具体地，涉及一种利用等离子体的基板处理装置。

背景技术

在基板上执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜汽相沉积和清洗的各种处理以在基板上形成期望的图案，以制造半导体器件。在各种处理中，蚀刻处理是用于将形成在基板上的薄膜的选定部分移除的处理并且包括湿蚀刻与干蚀刻。

使用利用等离子体的蚀刻装置来执行干燥蚀刻。通常，为了形成等离子体，在室的内部空间中形成电磁场并且将提供到室中的处理气体激发到等离子体状态。

等离子体表示由离子、电子与原子团形成的电离气体的状态。通过非常高的温度、强电场、或者射频电磁场产生等离子体。在半导体器件的制造过程中，通过利用等离子体执行蚀刻处理。基于容纳在等离子体中的与基板碰撞的离子颗粒执行蚀刻处理。

通常地，静电卡盘包括电介质板与金属本体。电介质板与本体通过硅或丙烯（acryl）彼此相连。硅具有卓越的耐热性能但是具有低热阻。因此，硅不会被处理基板时产生的热量损坏。然而，硅不能有效地阻挡热量在本体与电介质板之间的传递。丙烯具有卓越的热阻。然而，丙烯的耐热性能较低。丙烯可以防止电介质板与本体之间的热损失但是会被处理基板时产生的热量损坏。

发明内容

本发明提供了一种静电卡盘与一种基板处理装置，它们能够减少在利用等离子体处理基板的过程中使用的静电卡盘中的热损失并且具有卓越的耐热性能。

本发明的实施方式提供了基板处理装置，其包括：室，其中具有处理空间；基板支撑组件，其定位在室中并且包括支撑基板的静电卡盘；气体供给单元，其将气体供给到室中；以及电源，其施加功率以便由供给到室中的气体产生等离子体。静电卡盘包括：电介质板，其包括通过使用静电力吸附基板的电极；本体，其定位在电介质板下方并且包括高频电源连接到其上的金属板；以及结合单元，其定位在电介质板与本体之间并且将电介质板与本体紧固在一起。结合单元形成为多层结构。

多层结构可以包括丙烯层与硅层。

硅层可以定位在丙烯层的上方。

多层结构可以进一步包括设置在硅层与丙烯层之间以允许硅层与丙烯层相应地结合到其上的结合中间层。

多层结构可以包括多个硅层与设置在多个硅层之间以使多个硅层相应地结合到其上的结合中间层。

结合中间层可以包括陶瓷。

结合中间层可以包括石英。

结合中间层可以包括金属。

在本发明的其它实施方式中，静电卡盘包括：电介质板，其包括通过利用静电力吸附基板的电极；本体，其定位在电介质板下方并且包括高频电源连接到其上的金属板；以及结合单元，其定位在电介质板与本体之间并且将电介质板与本体紧固在一起。结合单元形成为多层结构。

多层结构可以包括丙烯层、硅层以及结合中间层，所述结合中间层设置在硅层与丙烯层之间以使硅层与丙烯层分别结合到其上。

硅层可以定位在丙烯层上方。

多层结构可以包括多个硅层与设置在多个硅层之间以使多个硅层相应地结合到其上的结合中间层。

附图说明

附图用以提供对本发明的进一步理解，并且将这些附图并入说明书中并且构成本说明书的一部分。此附图图示说明了本发明的示例性实施方式，其连同附图说明一起用于说明本发明的原理。在附图中：

图1示出了根据本发明的实施方式的基板处理装置的横截面视图；

图2是示出在图1的静电卡盘中使用的结合单元的实例的放大视图；以及

图3是示出图2的结合单元的另一个实例的视图。

具体实施方式

下面将参照附图更加详细地描述本发明的优选实施方式。然而，本发明可以以不同的形式体现并且不应构造为对在这里阐述的实施方式的限定。相反，这提供些实施方式使得对本领域中的技术人员而言，本公开将是全面与完整的，并且将充分地表达本发明的范围。因此，在附图中，为了清楚起见，放大了元件的形状。

在下文中，将参照附图详细地描述本发明的实施方式。本发明的实施方式可以被修改成多种形式，并且本发明的范围不限于下面的实施方式。提供此实施方式以便为本领域中的普通技术人员更完全地说明本发明。因此，在附图中，为了更加精确地表述，放大了元件的形状。

图1示出了根据本发明的实施方式的基板处理装置10的横截面视图；