[发明专利]液晶组件及其制作方法、液晶显示装置在审

专利信息
申请号: 201310529544.2 申请日: 2013-10-30
公开(公告)号: CN103543564A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 熊源 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1333
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 液晶 组件 及其 制作方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及到液晶显示技术领域,特别涉及到一种液晶组件及其制作方法、液晶显示装置。

背景技术

采用主动矩阵阵列的液晶显示器包括多个由栅极线与源极线相互交叉形成的像素区域和多个设置在栅极线与源极线交叉处的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管),将RGB三层彩膜叠层涂布在TFT结构上形成COA(Color Filter On Array,彩色滤光片叠加薄膜晶体管)结构,在该类型的液晶显示器中,每一像素具有一像素电极,该薄膜晶体管用于控制该像素电极的开关切换。

当一信号被加载到薄膜晶体管时,像素区域被激活,影像信号被施加到该像素电极上,为了达到高质量的显示效果,施加在像素电极上的电压必须保持某一固定值至下一信号被接收。然而,像素电极上用以维持电压的电荷通常会快速泄露,导致像素电极上的电压过早降低,从而降低液晶显示器的显示效果,因此通常液晶显示器的每一像素使用一存储电容来保持其像素电极的电压在预定时间内保持固定值。

现有技术解决该技术问题的方式为:在液晶显示器的像素区域上设置有存储电容,为了进一步提高像素开口率,该存储电容包括第一电容电极、介电层和第二电容电极,且所述第一电容电极和第二电容电极中至少其中之一包括至少一孔洞。这种方式下,因存储电容设置在设置的像素区域上,有介电层存在会影响到液晶显示器的透光,进而降低了液晶显示器的像素开口率,降低液晶显示器的显示效果。

发明内容

本发明的主要目的为提供一种液晶组件及其制作方法、液晶显示装置,旨在提高液晶显示装置的像素开口率,进而提高液晶显示装置的显示效果。

本发明提出一种液晶组件,包括公用电极和COA结构,所述公用电极位于所述COA结构上方,所述COA结构包括TFT及设置在TFT上的彩膜叠层,所述公用电极与所述彩膜叠层顶部相对设置;在所述公用电极与所述COA结构之间设置有电容电极;所述电容电极包括位于所述彩膜叠层顶部与公用电极之间的横向段和由横向段一端延伸、覆盖彩膜叠层侧面的延展段;所述公用电极与所述电容电极之间设置有绝缘层。

优选地,所述彩膜叠层包括依次叠加设置在TFT上的第一彩膜、第二彩膜和第三彩膜;所述COA结构还包括与TFT并列设置的像素区域,所述延展段包括对应第三彩膜、第二彩膜和第一彩膜设置的倾斜段和由倾斜段延伸、覆盖像素区域表面设置的凸设段。

优选地,所述绝缘层的材质为SiNx,所述电容电极的材质为透明导电材质。

本发明还提出一种液晶组件的制作方法,该液晶组件包括COA结构,所述COA结构包括TFT及设置在TFT上的彩膜叠层,该制作方法包括:

在设置有COA结构的基板上涂布导电材质;

在所述导电材质上涂布光阻,并对涂布光阻后的基板进行曝光;

将曝光后的基板进行显影,将显影后的基板进行蚀刻;

将蚀刻后的基板去光阻,在所述彩膜叠层上形成电容电极,所述电容电极包括位于所述彩膜叠层顶部与公用电极之间的横向段和由横向段一端延伸、覆盖彩膜叠层侧面的延展段;

在形成电容电极后的基板上涂布绝缘材料,以在所述电容电极上形成绝缘层。

优选地,所述彩膜叠层包括依次叠加设置在TFT上的第一彩膜、第二彩膜和第三彩膜;所述COA结构还包括与TFT并列设置的像素区域,所述延展段包括对应第三彩膜、第二彩膜和第一彩膜设置的倾斜段和由倾斜段延伸、覆盖像素区域表面设置的凸设段。

优选地,所述绝缘层的材质为SiNx,所述电容电极的材质为透明导电材质。

本发明还提出一种液晶显示装置,包括背光模组及液晶组件,所述液晶组件包括在所述公用电极与所述COA结构之间设置有电容电极;所述电容电极包括位于所述彩膜叠层顶部与公用电极之间的横向段和由横向段一端延伸、覆盖彩膜叠层侧面的延展段;所述公用电极与所述电容电极之间设置有绝缘层,背光模组发出的光线通过液晶组件后射出。

优选地,所述彩膜叠层包括依次叠加设置在TFT上的第一彩膜、第二彩膜和第三彩膜;所述COA结构还包括与TFT并列设置的像素区域,所述延展段包括对应第三彩膜、第二彩膜和第一彩膜设置的倾斜段和由倾斜段延伸、覆盖像素区域表面设置的凸设段。

优选地,所述绝缘层的材质为SiNx,所述电容电极的材质为透明导电材质。

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