[发明专利]可光固化聚合物电介质及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种薄膜晶体管器件，包含：

介电层；

半导体层；

栅电极；

源电极；和

漏电极；

其中所述介电层沉积在所述半导体层和所述栅电极之间；并且所述源电极和所述漏电极与所述半导体层接触，以及

其中所述介电层包含聚合物薄膜，所述聚合物薄膜包含含有重复单元的聚合物，所述重复单元具有包含任选取代的香豆素-6-基结构部分的侧基。

2.权利要求1的器件，其中所述任选取代的香豆素-6-基结构部分具有下式：

其中

R¹和R²相互独立地选自a)H，b)卤素，c)-CN，d)-NO₂，e)-OR⁴，f)-N(R⁴)₂，g)-CHO，h)-C(O)R⁴，i)-C(O)OR⁴，j)-C(O)N(R⁴)₂，k)C_1-20烷基，l)C_2-20链烯基，m)C_2-20炔基，n)C_1-20烷氧基，o)C_1-20烷硫基，p)C_1-20卤代烷基，q)-Y-C_3-14环烃基，r)-Y-C_6-14芳基，s)-Y-3-14员环杂烷基和t)-Y-5-14员杂芳基，其中所述C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_3-14环烃基、C_6-14芳基、3-14员环杂烷基和5-14员杂芳基各自任选被1-5个基团R⁵取代；

R³在每次出现时独立地选自a)卤素，b)-CN，c)-NO₂，d)-OR⁴，e)-N(R⁴)₂，f)-CHO，_g)-C(O)R⁴，h)-C(O)OR⁴，i)-C(O)N(R⁴)₂，j)C_1-20烷基，k)C_2-20链烯基，l)C_2-20炔基，m)C_1-20烷氧基，n)C_1-20烷硫基，o)C_1-20卤代烷基，p)-Y-C_3-14环烃基，q)-Y-C_6-14芳基，r)-Y-3-14员环杂烷基和s)-Y-5-14员杂芳基，其中所述C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_3-14环烃基、C_6-14芳基、3-14员环杂烷基和5-14员杂芳基各自任选被1-5个基团R⁵取代，其中

R⁴在每次出现时独立地选自a)H，b)C_1-20烷基，c)C_2-20链烯基，d)C_2-20炔基，e)C_1-20烷氧基，f)C_1-20烷硫基，g)C_1-20卤代烷基，h)-Y-C_3-14环烃基，i)-Y-C_6-14芳基，j)-Y-3-14员环杂烷基和k)-Y-5-14员杂芳基，其中所述C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_3-14环烃基、C_6-14芳基、3-14员环杂烷基和5-14员杂芳基各自任选被1-5个基团R⁵取代；

R⁵在每次出现时独立地选自a)卤素，b)-CN，c)-NO₂，d)-OH，e)-O-C_6-14芳基，f)-NH₂，g)-NH-C_1-10烷基，h)-N(C_1-10烷基)₂，i)-NH-C_6-14芳基，j)-N(C_1-10烷基)-C_6-14芳基，k)-N(C_6-14芳基)₂，l)-CHO，m)-C(O)-C_1-10烷基，n)-C(O)-C_6-14芳基，o)-C(O)OH，p)-C(O)-OC_1-10烷基，q)-C(O)-OC_6-14芳基，r)-C(O)NH₂，s)-C(O)NH-C_1-10烷基，t)-C(O)N(C_1-10烷基)₂，u)-C(O)NH-C_6-14芳基，v)-C(O)N(C_1-10烷基)-C_6-14芳基，w)-C(O)N(C_6-14芳基)₂，x)C_1-10烷基，y)C_2-10链烯基，z)C_2-10炔基，aa)C_1-10烷氧基，ab)C_1-10烷硫基，ac)C_1-10卤代烷基，ad)-Y-C_3-14环烃基，ae)-Y-C_6-14芳基，af)-Y-3-14员环杂烷基和ag)-Y-5-14员杂芳基，其中所述C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_3-14环烃基、C_6-14芳基、3-14员环杂烷基和5-14员杂芳基各自任选被1-5个独立地选自卤素、CN、C_1-6烷基、C_1-6卤代烷基、C_1-6烷氧基、-O-C_1-6卤代烷基、-C(O)-C_1-6烷基、-C(O)-C_1-6卤代烷基和-C(O)-O-C_1-6烷基的取代基取代；和

Y在每次出现时为二价C_1-6烷基、二价C_2-6链烯基、二价C_2-6炔基或共价键；和

b为0、1、2或3。