[发明专利]浅沟槽隔离结构制备方法有效
| 申请号： | 201310530767.0 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103531522A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 江润峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制备 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构制备方法，包括步骤：
提供半导体基底，其表面覆盖有二氧化硅层；
刻蚀在半导体基底中形成第一沟槽；
氧化所述第一沟槽底部及侧壁形成覆盖其表面的二氧化硅薄膜；
在上述沟槽结构表面形成线性氮化硅层；
在所述线性氮化硅层表面形成线性二氧化硅层；
涂覆聚硅氮烷对所述第一沟槽进行填充；
高温固化；
平坦化；
刻蚀清洗，形成第二沟槽；
沉积二氧化硅填充层，对第二沟槽进行填充；
退火。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述半导体基底表面的二氧化硅层表面，还覆盖有氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述第一沟槽底部及侧壁的氧化采用干氧氧化。
4.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述线性氮化硅层采用化学气相沉积方法形成。
5.根据权利要求4所述的浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述线性氮化硅层厚度为
6.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述线性二氧化硅层采用低压自由基氧化法形成。
7.根据权利要求6所述的浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述线性二氧化硅层厚度为
8.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述高温固化在水汽通入环境下进行，固化温度为300～400℃。
9.根据权利要求8所述的浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述高温固化还包括N2环境下、升温至800～1000℃的固化过程。
10.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述平坦化步骤平坦化至暴露出氮化硅层或二氧化硅层表面。
11.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述刻蚀清洗步骤采用氢氟酸溶液进行。
12.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述第二沟槽的填充采用高密度等离子体工艺进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
