[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括由低温多晶硅经过等离子体处理后形成的有源层。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有源层包括有对应栅电极的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述第二区域上覆盖的栅绝缘层的厚度小于所述第一区域上覆盖的栅绝缘层的厚度，或所述第二区域上未覆盖有栅绝缘层。

3.根据权利要求1或2所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

基板；

位于所述基板上的有源层；

位于所述有源层上、包括有接触孔的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的栅电极和栅线；

位于所述形成有所述栅电极和栅线的基板上、包括有接触孔的第一绝缘层，所述第一绝缘层接触孔位置与所述栅绝缘层接触孔位置重合；

位于所述第一绝缘层上的源电极、漏电极和数据线，所述源电极和漏电极通过所述贯穿栅绝缘层和第一绝缘层的接触孔与所述有源层连接；

位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的包括有像素电极过孔的第二绝缘层；

位于所述第二绝缘层上的像素电极，所述像素电极通过所述像素电极过孔与所述漏电极连接。

4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-3中任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板。

5.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括在基板上形成低温多晶硅层、栅电极、第一绝缘层及源电极和漏电极的步骤；其中，在形成栅电极和源电极、漏电极之间的第一绝缘层之前，对基板上的低温多晶硅层进行等离子体处理形成有源层。

6.根据权利要求5所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅层包括有对应栅电极的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述对基板上的低温多晶硅层进行等离子体处理形成有源层之前还包括：

减薄所述低温多晶硅层第二区域上覆盖的栅绝缘层；或

去除所述低温多晶硅层第二区域上覆盖的栅绝缘层。

7.根据权利要求5或6所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对基板上的低温多晶硅层进行等离子体处理形成有源层包括：

在等离子体增强化学气相沉积PECVD设备或等离子体设备中，将反应气体电离，将反应气体电离产生的等离子体对所述低温多晶硅层进行预设时间的处理，以便向所述低温多晶硅层中掺杂离子。

8.根据权利要求7所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在PECVD设备或等离子体设备中，将反应气体电离，将反应气体电离产生的等离子体对所述低温多晶硅层进行预设时间的处理包括：

在PECVD设备或等离子体设备中、20-350摄氏度的环境下，用高周波电源将反应气体电离，将反应气体电离产生的等离子体通过电场加速或直接通过扩散对所述低温多晶硅层进行1-3min的处理。

9.根据权利要求8所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述反应气体包括磷烷和硼烷。

10.根据权利要求5所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：

提供一基板；

在所述基板上形成低温多晶硅层；

在所述低温多晶硅层上形成包括有接触孔的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅电极和栅线的图形；

对所述低温多晶硅层进行等离子处理形成有源层；

在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成包括有接触孔的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成源电极、漏电极和数据线的图形，所述源电极和漏电极通过所述贯穿栅绝缘层和第一绝缘层的接触孔与所述有源层连接；

在形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上形成包括有像素电极过孔的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成像素电极的图形，所述像素电极通过所述像素电极过孔与所述漏电极连接。