[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法在审
申请号: | 201310532601.2 | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN103811527A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 俞炳旭;表相佑;宋河珍;金孝妍;沈憓娟;权智英 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;杨莘 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
技术领域
实施方式涉及有机发光二极管显示器以及该显示器的制造方法。
背景技术
一种有机发光二极管显示器包括两个电极和布置在两个电极之间的有机发光二极管元件。从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在有机发光元件中结合以形成激子。然后,随着激子释放的能量而进行发光。
发明内容
示例性实施方式提供有机发光二极管显示器包括红色像素、绿色像素和蓝色像素,每个像素包括:像素电极;形成在像素电极上的空穴补充层;形成在空穴补充层上的蓝色有机发光层;形成在蓝色有机发光层上的第一缓冲层;形成在第一缓冲层上的电子补充层;以及形成在电子补充层上的公共电极,其中红色像素和绿色像素还包括:分别形成在第一缓冲层上的红色共振辅助层和绿色共振辅助层;分别形成在红色共振辅助层和绿色共振辅助层上的红色有机发光层和绿色有机发光层;以及形成在红色有机发光层和绿色有机发光层上的第二缓冲层。
根据另一示例性实施方式,有机发光二极管显示器还可以包括分别形成在红色共振辅助层和绿色共振辅助层下方的红色界面层和绿色界面层。
红色界面层和绿色界面层可以为包括HAT-CN(1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile(1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六氰基))的CGL(Charge Generated Layer(电荷生成层))。
空穴补充层可以包括形成在像素电极上的空穴注入层以及形成在空穴注入层上的空穴传输层,而电子补充层可以包括形成在第一缓冲层上的电子传输层以及形成在电子传输层上的电子注入层。
另一示例性实施方式提供有机发光二极管显示器的制造方法,该方法包括:在基板上形成薄膜晶体管、像素电极和空穴补充层;在空穴补充层上形成蓝色有机发光层;在蓝色有机发光层上形成第一缓冲层;形成包括基底膜和转印层的供体膜;将供体膜的转印层转印到基板的第一缓冲层上方的与红色像素和绿色像素对应的位置上;以及在转印层和第一缓冲层的整体表面上形成电子补充层,其中转印层包括:转印到与红色像素和绿色像素对应的位置上的共振辅助层;形成在共振辅助层上的有机发光层;以及形成在有机发光层上的第二缓冲层。
根据另一示例性实施方式,有机发光二极管显示器的制造方法还可以包括:分别在与红色像素和绿色像素对应的红色共振辅助层和绿色共振辅助层下方形成红色界面层和绿色界面层。
红色界面层和绿色界面层可以为包括HAT-CN(1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile(1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六氰基))的CGL(Charge Generated Layer(电荷生成层))。
共振辅助层可以包括红色共振辅助层和绿色共振辅助层,并且包括在转印层中的有机发光层可以包括形成在红色共振辅助层上的红色有机发光层和形成在绿色共振辅助层上的绿色有机发光层。
空穴补充层可以包括:形成在像素电极上的空穴注入层;以及形成在空穴注入层上的空穴传输层,而电子补充层可以包括形成在第二缓冲层上的电子传输层;以及形成在电子传输层上的电子注入层。
可以通过真空沉积形成蓝色有机发光层和第一缓冲层。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施方式,对于本领域技术人员特征将变得明确,在附图中:
图1为示意性地示出根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器的像素布局的平面俯视图。
图2为根据示例性实施方式沿着II-II线截取的图1所示有机发光二极管显示器的三个像素的剖视图。
图3为根据另一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的三个像素的剖视图。
图4为示出根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器制造方法的供体膜在用于红色像素的第二缓冲层上的转印步骤的视图。
图5为示出根据另一示例性实施方式的有机发光二极管显示器制造方法的供体膜在用于红色像素的第二缓冲层上的转印步骤的视图。
图6为对根据示例性实施方式的应用第一缓冲层的有机发光二极管显示器的蓝色发光特征与未应用第一缓冲层的有机发光二极管显示器的蓝色发光特征进行比较的图表。
具体实施方式
在下文中将参照附图更加完整地描述示例性实施方式。本领域技术人员将明白,在不脱离实施方式的精神和范围的情况下可以以多种不同方式修改所描述的实施方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的