[发明专利]一种绒面透明导电膜及其制备方法有效
申请号: | 201310532651.0 | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN103647001A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 代智杰;房现飞;孟原;王晓娜;郭铁 | 申请(专利权)人: | 新奥光伏能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 杜秀科 |
地址: | 065001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
1.一种绒面透明导电膜的制备方法,其特征在于,包括:
将形成有透明导电膜的衬底的温度调整至18℃~25℃;
在酸液中对调整温度后的透明导电膜进行制绒,制绒时长为30~100秒,其中,所述酸液按重量百分比计,含有0.0365%~0.365%氯化氢,0.04%~0.4%氟化氢,0.1%~0.5%草酸及0.1%~0.5%醋酸;
对制绒后的透明导电膜进行清洗。
2.如权利要求1所述的绒面透明导电膜的制备方法,其特征在于,所述酸液含有0.0365%~0.182%氯化氢,0.04%~0.2%氟化氢,0.1%~0.3%草酸及0.1%~0.3%醋酸。
3.如权利要求2所述的绒面透明导电膜的制备方法,其特征在于,所述酸液含有0.182%氯化氢,0.08%氟化氢,0.2%草酸及0.1%醋酸;或者,所述酸液含有0.0365%氯化氢,0.04%氟化氢,0.1%草酸及0.1%醋酸;或者,所述酸液含有0.182%氯化氢,0.2%氟化氢,0.3%草酸及0.3%醋酸。
4.如权利要求1所述的绒面透明导电膜的制备方法,其特征在于,所述制绒时长为30秒、50秒、60秒、100秒或120秒。
5.如权利要求1所述的绒面透明导电膜的制备方法,其特征在于,所述将形成有透明导电膜的衬底的温度调整至18℃~25℃具体为:将形成有透明导电膜的衬底浸润在18℃~25℃的去离子水中,使其温度调整至18℃~25℃。
6.如权利要求1所述的绒面透明导电膜的制备方法,其特征在于,所述将形成有透明导电膜的衬底的温度调整至18℃~25℃具体为:将形成有透明导电膜的衬底的温度调整至18℃、20℃或25℃。
7.如权利要求1所述的绒面透明导电膜的制备方法,其特征在于,所述透明导电膜采用磁控溅射镀膜的方法在衬底上形成。
8.如权利要求1~7任一项所述的绒面透明导电膜的制备方法,其特征在于,所述透明导电膜的材质为掺铝氧化锌,其中铝的掺杂浓度为1%~1.2%。
9.如权利要求8所述的绒面透明导电膜的制备方法,其特征在于,所述透明导电膜的厚度为700~1200nm。
10.如权利要求9所述的绒面透明导电膜的制备方法,其特征在于,所述透明导电膜的厚度为700nm、900nm、1000nm或1200nm。
11.一种绒面透明导电膜,其特征在于,通过如权利要求1~10任一项所述的绒面透明导电膜的制备方法得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的