[发明专利]黄精根茎的组织培养基及离体再生方法在审
申请号: | 201310532853.5 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN103535281A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 陈泽雄;刘奕清;黄登艳 | 申请(专利权)人: | 重庆文理学院 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 402160 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 黄精 根茎 组织 培养基 再生 方法 | ||
技术领域
本发明属于植物组织培养技术领域,涉及一种黄精根茎的组织培养基及离体再生方法。
背景技术
黄精(Polygonatum sibiricum Red.)是百合科黄精属(Polygonatum Mill.)多种植物根茎的总称,为多年生宿根性草本药用植物,其根茎是传统中药。《中华人民共和国药典》2005年版(一部)规定黄精(Polygonatum sibiricum Delar.ex Redoute)、多花黄精(P.cyrtonema Hua)及滇黄精(P.kingianum Coll.et Hemsl.)3种植物为其原生药来源。黄精含多糖、氨基酸、蒽醌类化合物等成分,具有抗菌、降压、抗衰老及治疗风湿痛等作用。
随着黄精的药用价值和保健价值越来越被人们所认识,黄精原料的需求量也越来越大,价格不断上扬,从而导致山区农民加剧对野生黄精的大量掠夺性采集,使黄精自然资源迅速枯竭,给黄精植物的开发利用和可持续发展带来不利影响。因此,对保证黄精原料来源、实行产业化种植的呼声越来越高。李世等人对黄精的野生变家种栽培进行了研究,而且有些地方也开始人工种植黄精,但由于生产上多采用分根繁殖,其繁殖系数低,种根茎用量大,既不经济,又限制了黄精的产量潜力,不便栽植管理与推广,而且长期的分根无性繁殖很容易引起黄精品种退化,故黄精种苗问题成了人工大面积种植的瓶颈。而利用植物组织培养技术建立黄精离体再生体系是生产优质黄精种苗的有效途径,但是通过组织培养实现黄精离体再生的未见相关报道。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种黄精根茎的组织培养基及离体再生方法,可以实现黄精根茎的高效离体再生,生产优质黄精种苗。
为达到上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明公开了一种黄精根茎的组织培养基,包括诱导培养基、增殖培养基和生根培养基;所述诱导培养基是以MS培养基为基本培养基,并添加有蔗糖30g/L、琼脂4g/L、6-苄氨基嘌呤4.0mg/L和萘乙酸0.2mg/L;所述增殖培养基是以MS培养基为基本培养基,并添加有6-苄氨基嘌呤2.0mg/L、噻二唑苯基脲1.0mg/L和吲哚-3-丁酸0.1mg/L;所述生根培养基是以1/2MS培养基为基本培养基,并添加有白糖20g/L、卡拉胶5g/L、萘乙酸0.5mg/L、吲哚-3-丁酸0.5mg/L和活性炭50mg/L。
本发明还公开了一种使用上述黄精根茎的组织培养基进行黄精根茎离体再生的方法,包括以下步骤:
1)芽的诱导:将黄精根茎的初生芽清洗消毒灭菌后,接种于所述诱导培养基中进行芽的诱导;
2)芽的增殖培养:将诱导出来的芽接种到所述增殖培养基中进行芽的增殖培养;
3)生根培养:将增殖培养的黄精根茎芽切割下来,接种到所述生根培养基中进行生根培养。
进一步,所述步骤1)中,进行芽的诱导时,前7天为暗培养,然后进行光照培养,光照时间为12h/d,光照强度为1500lx,控制温度25±2℃。
本发明中所述的MS培养基和1/2MS培养基为植物组织培养中常用的基本培养基,其具体配方如下表所示:
本发明的有益效果在于:本发明利用植物组织培养技术建立了黄精离体再生体系,并对涉及的诱导培养基、增殖培养基和生根培养基进行了选择优化,具有芽诱导率高、增殖系数高、生根率高、芽苗健壮、叶形叶色正常等优点,能够满足市场对优质黄精种苗的需要。
附图说明
为了使本发明的目的、技术方案和有益效果更加清楚,本发明提供如下附图进行说明:
图1为黄精根茎芽的诱导;
图2为黄精根茎芽的增殖培养;
图3为黄精根茎芽苗生根。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明的优选实施例进行详细的描述。
本发明实施例所用的试验材料为由重庆市彭水县林业局提供的黄精根茎。
1)芽的诱导:选择晴天挖取黄精根茎,刷掉黄精根茎泥土,用流水冲洗20-30min,取2.0cm左右的初生芽放进洗衣粉溶液中浸泡3-5min,再用流水冲洗干净;将洗干净的芽用0.1%氯化汞处理10min左右(视芽的老嫩程度而定),用无菌水清洗4次,将暴露在消毒液中的根茎组织切除,接种于诱导培养基上,进行芽的诱导:前7天为暗培养,然后进行光照培养,光照时间为12h/d,光照强度为1500lx,控制温度25±2℃。
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