[发明专利]用于改进AMOLED驱动的设备和方法

权利要求书

1.一种用于电子设备的显示器，包括：

像素阵列，所述像素阵列包括：

布置在衬底之上的第一薄膜晶体管（TFT）的第一栅极；

布置在所述第一栅极之上的第一绝缘层；

布置在所述第一绝缘层之上的第二TFT的第二栅极；

布置在所述第一绝缘层和所述第二栅极之上的第二绝缘层；以及

布置在所述第二绝缘层之上的TFT层，其中所述TFT层包括源极、漏极和邻近所述源极和所述漏极布置的沟道。

2.如权利要求1所述的显示器，包括布置在所述TFT层之上的第三绝缘层。

3.如权利要求2所述的显示器，包括耦接至所述源极且延伸穿过所述第三绝缘层的第一通孔。

4.如权利要求2所述的显示器，包括耦接至所述漏极且延伸穿过所述第三绝缘层的第二通孔。

5.如权利要求1所述的显示器，包括布置在所述第二绝缘层之上的像素电极。

6.如权利要求1所述的显示器，包括被配置为将所述漏极电耦接至一像素电极的导体。

7.如权利要求1所述的显示器，包括被布置在所述第二绝缘层之上的有机发光二极管（OLED）层。

8.如权利要求1所述的显示器，包括布置在所述第二绝缘层之上的顶电极层。

9.一种电子显示器，包括：

像素阵列，所述像素阵列包括：

包括第一源极、第一漏极、第一沟道和第一栅极的驱动薄膜晶体管（TFT）；

包括第二源极、第二漏极、第二沟道和第二栅极的电路TFT，其中所述第二漏极电耦接至所述第一栅极；

布置在所述驱动TFT的第一栅极之上的第一栅极绝缘层，并且所述电路TFT的第二栅极被布置在所述第一栅极绝缘层之上，

布置在所述电路TFT的第二栅极之上的第二栅极绝缘层，其中所述驱动TFT的第一源极、第一漏极和第一沟道被布置在所述第二栅极绝缘层之上，并且所述电路TFT的第二源极、第二漏极和第二沟道被布置在所述第二栅极绝缘层之上；以及

布置在所述驱动TFT的第一源极、第一漏极和第一沟道以及所述电路TFT的第二源极、第二漏极和第二沟道之上的层间电介质（ILD）。

10.如权利要求9所述的电子显示器，包括布置在所述ILD之上的绝缘层。

11.如权利要求9所述的电子显示器，包括布置在所述ILD之上且电耦接至所述第一漏极的像素电极。

12.如权利要求9所述的电子显示器，包括布置在所述ILD之上的有机发光二极管（OLED）层。

13.如权利要求9所述的电子显示器，包括布置在所述ILD之上的顶电极层。

14.如权利要求9所述的电子显示器，其中所述驱动TFT的第一栅极电耦接至所述电路TFT的第二漏极。

15.一种显示器，包括：

像素阵列，所述像素阵列包括：

布置在第一薄膜晶体管（TFT）的第一栅极之上的所述第一TFT的第一源极、第一漏极和第一沟道；

布置在第二TFT的第二栅极之上的所述第二TFT的第二源极、第二漏极和第二沟道；以及

布置在衬底之上的栅极绝缘层；

其中所述第一TFT的第一栅极被布置在所述衬底之上，所述栅极绝缘层被布置在所述第一栅极之上，并且所述第二TFT的第二栅极被布置在所述栅极绝缘层之上。

16.如权利要求15所述的显示器，包括布置在所述第一TFT的第一源极、第一漏极和第一沟道以及所述第二TFT的第二源极、第二漏极和第二沟道之上的层间电介质（ILD）。

17.如权利要求16所述的显示器，其中包括布置在所述ILD之上的绝缘层。

18.如权利要求16所述的显示器，包括布置在所述ILD之上且电耦接至所述第一TFT的第一漏极的像素电极。

19.如权利要求16所述的显示器，包括布置在所述ILD之上的有机发光二极管（OLED）层。