[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201310534722.0 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN103811622B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 郭得山;柯竣腾;涂均祥;邱柏顺 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
技术领域
本发明涉及具有较佳的电极结构的发光元件用以提升发光元件的可靠度。
背景技术
当发光效率提升且制造成本降低后,以固态照明取代传统照明的梦想预期不久即将实现。现阶段发光二极管的内部发光效率约为50%到80%之间,但是部分的光发出后被电极及发光层吸收,导致总体出光效率降低。因此,衍生出在电极下设置反射层来解决这个问题。当从发光层发出的光线行经的路径被电极挡住的时候,反射层可反射而非吸收光线。另外,电极具有一打线垫用以后续的封装打线用,打线垫通常由金所制成。由于金的价格很高,导致电极的成本增加。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一发光元件,包含:一基板;一半导体叠层包含一第一半导体层在基板上,一主动层在第一半导体层上,以及一第二半导体层在主动层上;以及一电极结构在第二半导体层上,其中电极结构包含一打线层,一传导层以及一第一阻障层位于打线层及传导层之间,其中,传导层的标准氧化电位高于打线层的标准氧化电位。
附图说明
图1A是显示本发明一水平式发光元件的示意图;
图1B是显示本发明一垂直式发光元件的示意图;
图2是显示根据本发明第一实施例的电极结构的示意图;
图3A是显示根据本发明第二实施例的电极结构的示意图;
图3B是显示本发明电极结构8的详细结构的扫描电子显微镜(SEM)图;
图4是显示根据本发明第三实施例的电极结构。
符号说明
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