[发明专利]发光元件有效

专利信息
申请号: 201310534722.0 申请日: 2013-11-01
公开(公告)号: CN103811622B 公开(公告)日: 2018-03-16
发明(设计)人: 郭得山;柯竣腾;涂均祥;邱柏顺 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/36
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 元件
【说明书】:

技术领域

发明涉及具有较佳的电极结构的发光元件用以提升发光元件的可靠度。

背景技术

当发光效率提升且制造成本降低后,以固态照明取代传统照明的梦想预期不久即将实现。现阶段发光二极管的内部发光效率约为50%到80%之间,但是部分的光发出后被电极及发光层吸收,导致总体出光效率降低。因此,衍生出在电极下设置反射层来解决这个问题。当从发光层发出的光线行经的路径被电极挡住的时候,反射层可反射而非吸收光线。另外,电极具有一打线垫用以后续的封装打线用,打线垫通常由金所制成。由于金的价格很高,导致电极的成本增加。

发明内容

为解决上述问题,本发明提供一发光元件,包含:一基板;一半导体叠层包含一第一半导体层在基板上,一主动层在第一半导体层上,以及一第二半导体层在主动层上;以及一电极结构在第二半导体层上,其中电极结构包含一打线层,一传导层以及一第一阻障层位于打线层及传导层之间,其中,传导层的标准氧化电位高于打线层的标准氧化电位。

附图说明

图1A是显示本发明一水平式发光元件的示意图;

图1B是显示本发明一垂直式发光元件的示意图;

图2是显示根据本发明第一实施例的电极结构的示意图;

图3A是显示根据本发明第二实施例的电极结构的示意图;

图3B是显示本发明电极结构8的详细结构的扫描电子显微镜(SEM)图;

图4是显示根据本发明第三实施例的电极结构。

符号说明

1水平式发光元件72反射层10基板73粘着层11第一半导体层74第二阻障层12主动层75第一阻障层13第二半导体层76传导层14透明导电氧化层761第一传导层S1表面762第二传导层S2表面763第三传导层2垂直式发光元件77第一隔绝层21导电基板78第二隔绝层61第一电极8电极结构62第二电极9电极结构63第三电极A边界区7电极结构B边界区71打线层C中央区

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310534722.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top